[发明专利]导电薄膜的制备方法、镀膜设备、导电薄膜及电子器件

说明书

本发明涉及一种导电薄膜的制备方法、镀膜设备、导电薄膜及电子器件。该制备方法包括如下步骤：在基板上镀制阻挡层，阻挡层的材质为二氧化硅、氮化硅及二氧化钛中的至少一种；在阻挡层远离基板的一侧镀制第一ITO层；在第一ITO层远离阻挡层的一侧镀制增强层，增强层的材料为银或石墨烯；及以氩气为工作气体，在臭氧存在下，且臭氧与氩气的体积比为1：8～2：9，在所述增强层远离所述第一ITO层的一侧镀制第二ITO层，得到导电薄膜。通过上述制备方法能够于低温下制备具有较高可见光透过率且较低电阻率的导电薄膜。

技术领域

本发明涉及光电材料技术，特别是涉及一种导电薄膜的制备方法、镀膜设备、导电薄膜及电子器件。

背景技术

氧化铟锡薄膜即ITO薄膜，具有低红外发射率及良好的加工性能等特性，被广泛应用于平板电子器件、薄膜太阳能电池及有机发光电子器件等电子器件中。随着技术的日益发展，电子器件逐渐趋于柔性化、轻薄化、低功耗的方向发展。导电薄膜属于电子器件的重要组成部分，导电薄膜的柔性化及轻薄化等性能直接影响着电子器件的品质和性能。

许多研究通过基板代替传统的玻璃基板，得到柔性氧化铟锡薄膜。这种柔性氧化铟锡薄膜能够一定程度地增加电子产品的柔性。通常，为了使氧化铟锡薄膜的可见光透过率和电阻率满足要求，需要在120℃～200℃下于基板上镀制ITO膜层并于200℃～300℃下退火处理。但是，基板的耐热性能较差，需要在低温下于基板上沉积氧化铟锡薄膜，而低温沉积得到的柔性氧化铟锡薄膜的可见光透过率较低、电阻率较高，不能满足实际需求。

发明内容

基于此，有必要提供一种导电薄膜的制备方法，通过该方法能够于低温下制备具有较高可见光透过率且较低电阻率的导电薄膜。

此外，提供一种镀膜设备、导电薄膜及电子器件。

一种导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：

在基板上镀制厚度为20nm～30nm的阻挡层，所述阻挡层的材质为二氧化硅、氮化硅及二氧化钛中的至少一种；

在所述阻挡层远离所述基板的一侧镀制厚度为20nm～25nm的第一ITO层；

在所述第一ITO层远离所述阻挡层的一侧镀制厚度为70nm～80nm的增强层，所述增强层的材料为银或石墨烯；及

以氩气为工作气体，在臭氧存在下，且臭氧与氩气的体积比为1：8～2：9，在所述增强层远离所述第一ITO层的一侧镀制厚度为20nm～25nm的第二ITO层，得到导电薄膜。

上述制备方法中，通过在基板和第一ITO层之间设置阻挡层，能够有效地避免基板裂解、放气等产生的有机裂解物对第一ITO层的污染，且能够增加膜层的附着力，通过设置增强层既能够降低导电薄膜的电阻率，且能够提高膜层的载流子迁移率，保证导电薄膜的光学性能；通过在臭氧存在的条件下镀制第二ITO层，能够实现在低温下镀制第二ITO层，避免基板因高温而变形，同时高活性的臭氧能够使铟更容易被氧化生产氧化铟，增强导电薄膜的可见光透过率、降低导电薄膜的电阻率。此外，通过上述制备方法得到的导电薄膜的膜层的总厚度为130nm～160nm，使得含有该导电薄膜的电子器件更加轻薄化。经试验验证，上述制备方法得到的导电薄膜的电阻率为5.5×10^-5Ω.cm～5.9×10^-4Ω.cm，可见光透过率为82％～90％，第二ITO膜层的表面功函数为5.2eV～5.8eV。

在其中一个实施例中，所述基板的材料选自聚酰来胺、聚碳酸酯及聚乙烯对苯二甲酯中的至少一种。

在其中一个实施例中，在所述在基板上镀制厚度为20nm～30nm的阻挡层的操作之前还包括对所述基板进行冷阱处理。

在其中一个实施例中，在所述在基板上镀制厚度为20nm～30nm的阻挡层的操作之前还包括等离子体清洗所述基板，其中，所述等离子体为臭氧等离子体。