[发明专利]导电薄膜的制备方法、镀膜设备、导电薄膜及电子器件

权利要求书

1.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上镀制厚度为20nm～30nm的阻挡层，所述阻挡层的材质为氮化硅及二氧化钛中的至少一种；

在所述阻挡层远离所述基板的一侧镀制厚度为20nm～25nm的第一ITO层；

在所述第一ITO层远离所述阻挡层的一侧镀制厚度为70nm～80nm的增强层，所述增强层的材料为石墨烯；及

以氩气为工作气体，在臭氧存在下，且臭氧与氩气的体积比为1：8～2：9，在所述增强层远离所述第一ITO层的一侧镀制厚度为20nm～25nm的第二ITO层，得到导电薄膜；

其中，所述在基板上镀制厚度为20nm～30nm的阻挡层的步骤包括：在所述基板的一侧设置导热层，然后在所述基板远离所述导热层的一侧设置所述阻挡层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基板的材料选自聚酰亚胺、聚碳酸酯及聚乙烯对苯二甲酯中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述在基板上镀制厚度为20nm～30nm的阻挡层的操作之前还包括对所述基板进行冷阱处理。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述在基板上镀制厚度为20nm～30nm的阻挡层的操作之前还包括等离子体清洗所述基板，其中，所述等离子体为臭氧等离子体。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在基板上镀制厚度为20nm～30nm的阻挡层的操作中，镀膜方式为磁控溅射，工作压强为0.2Pa～0.5Pa，溅射功率为200W～300W。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述阻挡层远离所述基板的一侧镀制厚度为20nm～25nm的第一ITO层的操作中，镀制的方式为磁控溅射，靶材为质量比为8:2～9:1的氧化铟和氧化锡，工作压强为3.5×10^-3Pa～0.25Pa，气体氛围为氧气和氩气的混合气体，氩气与氧气的体积比为5:3～7:4；及

所述以氩气为工作气体，在臭氧存在下，在所述增强层远离所述第一ITO层的一侧镀制厚度为20nm～25nm的第二ITO层的操作中，镀制的方式为磁控溅射，靶材为质量比为8:2～9:1的氧化铟和氧化锡，工作压强为3.5×10^-3Pa～0.25Pa。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一ITO层远离所述阻挡层的一侧镀制厚度为70nm～80nm的增强层的操作具体为：在不活泼气体氛围中，以石墨烯为靶材在工作压强为0.3Pa～0.5Pa下于所述第一ITO层远离所述阻挡层的一侧磁控溅射所述增强层，溅射功率为1000W～2000W。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述以氩气为工作气体，在臭氧存在下，且臭氧与氩气的体积比为1：8～2：9通过如下操作得到：

在所述增强层远离所述第一ITO层的一侧通入流量为100SCCM～200SCCM的臭氧，在所述基板远离所述阻挡层的一侧通入流量为1000SCCM～1400SCCM的氩气；或，

通入流量为1000SCCM～1400SCCM的氩气及600SCCM～800SCCM的氧气，并用波长为200nm～260nm的紫外光照射所述增强层远离所述第一ITO层的一侧，其中，紫外光的强度为300J/m²～400J/m²，紫外光源与所述增强层远离所述第一ITO层的一侧的距离为50厘米～80厘米。

9.一种镀膜设备，其特征在于，包括：

第一镀膜机构，能够镀制材料为氮化硅的膜层；

第二镀膜机构，能够镀制ITO膜；

第三镀膜机构，能够镀制材料为石墨烯的膜层；及

第四镀膜机构，能够在臭氧和氩气的混合气体氛围中镀制ITO膜；

所述镀膜设备能够用于制备由权利要求1～8任一项所述的制备方法制备得到的导电薄膜。