[发明专利]一种纳米材料及其制备方法、光电器件

说明书

本发明公开一种纳米材料及其制备方法、光电器件，其中，所述纳米材料包括球形碳以及镶嵌在球形碳表面的MoS₂纳米片。通过多糖模板表面丰富的羟基和糖苷键对MoS₂纳米晶进行包裹，从而限制了MoS₂纳米晶在c方向的生长趋势，制得超薄MoS₂纳米片并使所述MoS₂纳米片的界面活性位充分暴露，提高了空穴传输效率，同时碳杂化结构有效提高了载流子的迁移效率；将所述纳米材料作为空穴传输层，MoS₂界面活性位与碳杂化结构的协同作用，提高了光电器件发光效率和性能。

技术领域

本发明涉及光电器件领域，尤其涉及一种纳米材料及其制备方法、光电器件。

背景技术

在目前的量子点发光二极管中，ITO通常用来作为透明电极，而PEDOT:PSS通常用来修饰ITO表面作为阳极缓冲层，但是 PEDOT:PSS 本身的酸性会导致量子点发光二管的性能衰减。为了解决这个问题，有人开始研发新的阳极缓冲层去替代 PEDOT:PSS。其中过渡金属氧化物(WO₃，MoO₃，NiO，Cu₂O，ReO₃和V₂O₅)在很多量子点发光二极管中被用作阳极缓冲层，并取得不错的性能。

过渡金属氧化物通常具有较深的电子能级态以及较佳的空穴注入效率，然而过渡金属氧化物在制备过程中存在蒸镀温度高、难以规模化生产等问题，因此寻找一种制备工艺简单且空穴注入效率更高的阳极修饰材料具有重要意义。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种纳米材料及其制备方法、光电器件，旨在解决现有阳极修饰材料空穴注入效率较低以及制备工艺复杂、成本较高的问题。

本发明的技术方案如下：

一种纳米材料，其中，包括球形碳以及镶嵌在球形碳表面的MoS₂纳米片。

所述的杂化纳米结构，其中，所述球形碳与MoS₂纳米片的质量比为1:0.1-0.4。

一种纳米材料的制备方法，其中，包括步骤：

将单糖、钼源和硫源溶解于水中，保温进行水热反应，制得多糖-二硫化钼前驱体；

在惰性气氛下，对所述多糖-二硫化钼前驱体进行干燥焙烧处理，制得球形碳-二硫化钼纳米片纳米材料。

所述的纳米材料的制备方法，其中，所述单糖为葡萄糖、果糖、核糖、半乳糖、戊糖和己糖中的一种或多种。

所述的纳米材料的制备方法，其中，所述钼源为钼酸钠、钼酸胺、钼酸钾和钼酸镁中的一种或多种。

所述的纳米材料的制备方法，其中，所述硫源为硫脲、多硫化钠、硫代乙酰胺和硫化胺中的一种或多种。

所述的纳米材料的制备方法，其中，所述惰性气氛为氮气、氩气、氦气和氖气中的一种或多种。

所述的纳米材料的制备方法，其中，所述水热反应温度为180-220^oC，水热反应时间为20-28h。

所述的纳米材料的制备方法，其中，所述焙烧处理温度为750-850 ^oC，焙烧处理时间为4-6h。

一种光电器件，包括第一电极、空穴传输层、发光层以及第二电极，其中，所述空穴传输层的材料为所述的纳米材料, 或所述空穴传输层的材料为所述方法制备的纳米材料。