[发明专利]一种纳米材料及其制备方法、光电器件有效
| 申请号： | 201711450474.6 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109980101B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 材料 及其 制备 方法 光电 器件 | ||
1.一种光电器件，包括第一电极、空穴传输层、发光层以及第二电极，其特征在于，所述空穴传输层的材料为纳米材料，所述纳米材料的制备方法包括步骤：
将单糖、钼源和硫源溶解于水中，保温进行水热反应，制得多糖-二硫化钼前驱体；
在惰性气氛下，对所述多糖-二硫化钼前驱体进行干燥焙烧处理，制得球形碳-二硫化钼纳米片的纳米材料。
2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述单糖为葡萄糖、果糖、核糖、半乳糖、戊糖和己糖中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述钼源为钼酸钠、钼酸胺、钼酸钾和钼酸镁中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述硫源为硫脲、多硫化钠、硫代乙酰胺和硫化胺中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述惰性气氛为氮气、氩气、氦气和氖气中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述水热反应温度为180-220℃，水热反应时间为20-28h。
7.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述焙烧处理温度为750-850℃，焙烧处理时间为4-6h。
8.一种光电器件，包括第一电极、空穴传输层、发光层以及第二电极，其特征在于，所述空穴传输层的材料为纳米材料，所述纳米材料包括球形碳以及镶嵌在球形碳表面的MoS2纳米片。
9.根据权利要求8所述的光电器件，其特征在于，所述球形碳与MoS2纳米片的质量比为1:0.1-0.4。
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