[发明专利]发光材料及其制备方法和QLED器件

说明书

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种发光材料及其制备方法和QLED器件。所述发光材料为半导体量子点，所述半导体量子点表面结合有碳量子点。本发明中的发光材料选用碳量子点与半导体量子点复合得到的碳量子点‑半导体量子点复合物作为量子点发光层材料，当碳量子点连接在半导体量子点上时，两种量子点材料复合发光，可更好地提高量子点发光层的发光效率。

技术领域

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种发光材料及其制备方法和QLED器件。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)作为一种新型的电致发光器件，具备低成本、重量轻，响应速度快，色彩饱和度高等优点，拥有广阔的发展前景，已成为新一代LED照明的重要研究方向之一，而现阶段领域内，关于QLED应用的关键技术就是如何提高量子点发光层的发光效率。

到目前为止，量子点的发光效率问题可以通过表面配体钝化、电子溢出屏障或共轭激子注入层(或载流子注入层)等技术进行研究，但这些方法仍存在较为繁杂或对提升QLED器件的发光效率较为有限等不足。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种发光材料及其制备方法和QLED器件，旨在解决现有QLED器件的量子点发光层的发光效率偏低的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种发光材料，所述发光材料为半导体量子点，所述半导体量子点表面结合有碳量子点。

相应地，一种发光材料的制备方法，包括如下步骤：

提供碳源和二胺化合物，将所述碳源和所述二胺化合物溶于第一溶剂中得第一混合溶液；

将所述第一混合溶液进行第一加热处理，得到表面经二胺化合物修饰的碳量子点；

提供半导体量子点，将所述半导体量子点与所述表面经二胺化合物修饰的碳量子点溶于第二溶剂中得第二混合溶液；

将所述第二混合溶液进行第二加热处理，得到所述发光材料。

本发明另一方面提供一种QLED器件，包括层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，所述量子点发光层由本发明的上述发光材料组成。

相应地，一种QLED器件的制备方法，包括如下步骤：

提供底电极；

按上述发光材料的制备方法制备发光材料，将所述发光材料沉积在所述底电极上，得到量子点发光层；

在所述量子点发光层上沉积顶电极；

其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。

本发明的发光材料以及QLED中的量子点发光层，由碳量子点连接在半导体量子点上的材料组成，碳量子点是一种以碳为骨架、粒径在10nm以下、表面经过有机物或有机官能团修饰处理后具有荧光性能的碳纳米颗粒，碳量子点由于本身具有无毒性、优异的环境友好性、易于表面功能化修饰等特点；本发明中的发光材料选用碳量子点与半导体量子点复合得到的碳量子点-半导体量子点复合物作为量子点发光层材料，当碳量子点连接在半导体量子点上时，两种量子点材料复合发光，可更好地提高量子点发光层的发光效率。

本发明提供的发光材料的制备方法，首先将二胺化合物和碳源一起溶于溶剂中加热得到经二胺化合物修饰的碳量子点，修饰后的碳量子点再和半导体量子点溶于溶剂中加热，即得到由二胺化合物连接的碳量子点和半导体量子点组成的可提高量子点发光层的发光材料，该方法工艺简单，能够较好地满足和适应工业化生产的要求。

附图说明

图1为本发明一实施例中QLED器件的结构示意图。

具体实施方式