[发明专利]发光材料及其制备方法和QLED器件

权利要求书

1.一种发光材料，其特征在于，所述发光材料为半导体量子点，所述半导体量子点表面结合有碳量子点；

其中，所述碳量子点的发射光谱与所述半导体量子点的吸收光谱至少部分重叠，所述碳量子点与所述半导体量子点之间距离在10nm内。

2.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述碳量子点和所述半导体量子点之间通过二胺化合物连接，所述二胺化合物的一个氨基与所述碳量子点表面连接，所述二胺化合物的另一个氨基与所述半导体量子点表面连接。

3.如权利要求2所述的发光材料，其特征在于，所述二胺化合物选自乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺、二甲基丙二胺、丁二胺、戊二胺、己二胺、庚二胺、辛二胺、壬二胺、4,9-二氧-1,12-十二烷二胺和4,7,10-三氧-1,13-十三烷二胺中的至少一种。

4.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述碳量子点的发射光谱中，至少有30％的面积与所述半导体量子点的吸收光谱重叠。

5.如权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述碳量子点与半导体量子点质量比为(0.2-1):1。

6.一种发光材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供碳源和二胺化合物，将所述碳源和所述二胺化合物溶于第一溶剂中得第一混合溶液；

将所述第一混合溶液进行第一加热处理，得到表面经二胺化合物修饰的碳量子点；

提供半导体量子点，将所述半导体量子点与所述表面经二胺化合物修饰的碳量子点溶于第二溶剂中得第二混合溶液；

将所述第二混合溶液进行第二加热处理，得到所述发光材料；

其中，所述发光材料包括由二胺化合物连接的碳量子点和半导体量子点，所述碳量子点的发射光谱与所述半导体量子点的吸收光谱至少部分重叠，所述碳量子点与所述半导体量子点之间距离在10nm内。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述碳源选自葡萄糖、果糖、蔗糖、甘油和丙三醇中的任意一种；和/或

所述第一溶剂为水；和/或

所述第二溶剂选自C₁～C₁₀直链烷烃、C₁～C₁₀支链烷烃、C₁～C₁₀直链醇和C₁～C₁₀支链醇中的至少一种。

8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述碳量子点与半导体量子点质量比为(0.2-1):1；和/或

所述第二加热处理的温度为50-60℃；和/或

所述第二加热处理的时间为5-6h。

9.一种QLED器件，包括层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，其特征在于，所述量子点发光层由权利要求1-5任一项所述的发光材料组成。