[发明专利]紫外光产生用靶及其制造方法以及电子束激发紫外光源有效

专利信息
申请号: 201711448198.X 申请日: 2017-12-27
公开(公告)号: CN108257848B 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 池田光平;市川典男 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: H01J63/04 分类号: H01J63/04;H01J63/06;H01J63/02;H01J9/22
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;陈明霞
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 紫外光 产生 及其 制造 方法 以及 电子束 激发 紫外 光源
【权利要求书】:

1.一种紫外光产生用靶,包括:

透过紫外光的基板;以及

设置在所述基板上的接受电子束而发出紫外光的发光层,

所述发光层为由掺杂有Sc的Al2O3形成的非晶质层,

所述非晶质层是指在使用了45kV、200mA的CuKα线的In-planeX射线衍射法测定下,来自Al2O3的衍射面的强度为200cps以下且来自(Sc,Al)2O3的(042)和(0210)面的强度为200cps以下的层,

所述发光层中所述Sc的掺杂浓度为0.1原子%以上且5.0原子%以下,

所述发光层的膜厚为2.0μm以下。

2.如权利要求1所述的紫外光产生用靶,其中,

所述发光层中所述Sc的掺杂浓度为4.0原子%以下。

3.一种电子束激发紫外光源,其中,

具备:

权利要求1或2所述的紫外光产生用靶;以及

将所述电子束提供给所述紫外光产生用靶的电子源。

4.一种紫外光产生用靶的制造方法,包括:

第一工序,在透过紫外线的基板上蒸镀掺杂有Sc的Al2O3从而形成非晶质层;和

第二工序,烧成所述非晶质层,

所述非晶质层是指在使用了45kV、200mA的CuKα线的In-planeX射线衍射法测定下,来自Al2O3的衍射面的强度为200cps以下且来自(Sc,Al)2O3的(042)和(0210)面的强度为200cps以下的层,

所述发光层中所述Sc的掺杂浓度为0.1原子%以上且5.0原子%以下,

在所述第一工序中,所述非晶质层的膜厚为2.0μm以下。

5.如权利要求4所述的紫外光产生用靶的制造方法,其中,

在所述第一工序中,所述非晶质层中的所述Sc的掺杂浓度为4.0原子%以下。

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