[发明专利]抑制挥发性电解质溶液结晶的装置和方法

说明书

本发明公开了一种抑制挥发性电解质溶液结晶的装置，其包括：用于盛装挥发性电解质溶液的容纳槽、置于容纳槽内的杆状电极、包括一S极和一N极且S极和N极分设在杆状电极的相对两端部的磁极；杆状电极用于在通电状况下产生非均匀电场，磁极用于产生平行于杆状电极的磁场。本发明通过在容纳槽内设置正交电磁场，从而在通电状况下可通过调节电场及磁场大小，当挥发性电解质解离后的正负离子所受合力为零或合力与运动方向垂直时，这些正负离子即绕杆状电极作匀速圆周运动或维持静止状态，从而达到对这些正负离子的限域束缚作用，从而达到抑制挥发性电解质结晶的效果。本发明还公开了一种基于上述装置的抑制挥发性电解质溶液结晶的方法。

技术领域

本发明属于电解质处理技术领域，具体来讲，涉及一种抑制挥发性电解质溶液结晶的装置、以及一种抑制挥发性电解质溶液结晶的方法。

背景技术

在电化学等诸多领域中，均会涉及电解质溶液的使用，某些情况下还需在加热情况下使用，如此，针对某些易挥发的电解质，将会导致蒸汽压较高而造成该易挥发的电解质挥发结晶。

如目前主流的ITO/IGZO湿刻方法为使用质量分数3.4％的草酸溶液，并在45℃进行刻蚀；在此温度下，草酸溶液的蒸气压较高，容易挥发结晶。草酸挥发一方面易在机台内壁形成锥形结晶物，对玻璃基板造成刮伤；同时草酸结晶物易影响机械式传感器的活动，从而导致设备宕机；另一方面，挥发到机台外部的草酸结晶物易起尘，造成颗粒污染，给机台的保养维护带来困难；此外，草酸蒸汽还对人体有一定伤害。

因此，针对一些挥发性电解质溶液的上述弊端，需提供提供一种抑制的装置和/或方法。

发明内容

为解决上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种抑制挥发性电解质溶液结晶的装置，该装置能够保证易挥发的电解质解离后的离子被限域或束缚在承载容器内而不会结晶或挥发。

为了达到上述发明目的，本发明采用了如下的技术方案：

一种抑制挥发性电解质溶液结晶的装置，包括：

容纳槽，用于盛装挥发性电解质溶液；

杆状电极，置于所述容纳槽内；所述杆状电极在通电状况下产生非均匀电场；

磁极，包括一S极和一N极，所述S极和所述N极分设在所述杆状电极的相对两端部；所述磁极用于产生平行于所述杆状电极的磁场；

其中，当所述容纳槽中盛装有所述挥发性电解质溶液时，对所述杆状电极通电，以使所述挥发性电解质溶液中的挥发性电解质解离后的离子限域或束缚在所述容纳槽中。

进一步地，当所述杆状电极为正极时，所述杆状电极在通电状况下产生由所述杆状电极指向外部的散射状非均匀电场；当所述杆状电极为负极时，所述杆状电极在通电状况下产生由外部指向所述杆状电极的汇聚状非均匀电场。

进一步地，对所述杆状电极通电后，所述挥发性电解质解离后的离子受到的合力为零、或受到的合力与运动方向垂直。

进一步地，对所述杆状电极通电后，所述挥发性电解质解离后的离子静止、或作相对于所述杆状电极的匀速圆周运动。

进一步地，所述容纳槽为湿法刻蚀工艺中的储液箱或刻蚀槽。

进一步地，所述挥发性电解质溶液为草酸溶液。

进一步地，所述挥发性电解质溶液为含有NH₄F的SiO₂蚀刻液。

本发明的另一目的在于提供一种基于上述装置的抑制挥发性电解质溶液结晶的方法，包括步骤：

S1、将所述挥发性电解质溶液置于容纳槽中并使所述杆状电极浸入所述挥发性电解质溶液中；