[发明专利]双极NPN型带隙基准电压电路有效
| 申请号: | 201711445285.X | 申请日: | 2017-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN109976437B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
| 发明(设计)人: | 张识博;卢圣晟;刘军 | 申请(专利权)人: | 华润矽威科技(上海)有限公司 |
| 主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 201103 上海市闵行区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 双极 npn 型带隙 基准 电压 电路 | ||
本发明提供一种双极NPN型带隙基准电压电路,包括:启动电路、带隙基准电压生成电路及反馈电路;带隙基准电压生成电路包括:第一电流镜、第一三极管、第一三极管模块、第二三极管模块、第一电阻及第二电阻;第一三极管模块至少包括一个第二三极管,第一三极管模块的发射结面积为第一三极管的发射结面积的n‑1倍,第二三极管的基极与发射极短接后连接至带隙基准电压输出节点,第二三极管的集电极与第一三极管的集电极相连接,n为大于1的整数。本发明产生的带隙基准电压不随NPN型三极管的高温漏电而发生上翘,可以有效避免产生的带隙基准电压高温上翘的现象。
技术领域
本发明涉及电路设计领域,特别是涉及一种双极NPN型带隙基准电压电路。
背景技术
电源管理集成电路中,一般都要做零温度系数的基准电压,以此来给芯片内部其它模块使用,从而保证整个芯片在不同温度下的优良性能。带隙基准电压的基本原理是利用双极型晶体管(BJT)基极发射极电压VBE的负温度系数和等效热电压VT的正温度系数相互抵消,从而实现零温漂电压基准。在实际电路设计中常把带隙基准电压再通过电阻网络分压或倍压得到各种不同的基准电压。然而NPN型三极管存在高温下集电极到衬底的漏电问题,并且处理不好会影响到高温下的带隙基准电压,会导致整体电路中与带隙基准电压相关的参考电压和参考电流都随之波动,影响整体电路的性能。
发明内容
本发明提供一种双极NPN型带隙基准电压电路,所述双极NPN型带隙基准电压电路至少包括:启动电路、带隙基准电压生成电路及反馈电路;其中,
所述启动电路与所述带隙基准电压生成电路相连接,用于向所述带隙基准电压生成电路提供启动所需的电压及电流;
所述带隙基准电压生成电路包括:第一电流镜、第一三极管、第一三极管模块、第二三极管模块、第一电阻及第二电阻;其中,
所述第一三极管的集电极与所述第一电流镜及所述反馈电路相连接,所述第一三极管的基极与带隙基准电压输出节点相连接;
所述第一三极管模块至少包括一个第二三极管,所述第一三极管模块的发射结面积为所述第一三极管的发射结面积的n-1倍,所述第二三极管的基极与发射极短接后连接至所述带隙基准电压输出节点,所述第二三极管的集电极与所述第一三极管的集电极相连接;
所述第二三极管模块包括至少一个第三三极管,所述第二三极管模块的发射结面积为所述第一三极管的发射结面积的n倍,所述第三三极管的集电极与所述第一电流镜相连接,所述第三三极管的基极与所述带隙基准电压输出节点相连接;
其中,n为大于1的整数;
所述第一电流镜的输入端与所述启动电路相连接,所述第一电流镜的输出端与所述第一三极管及所述第三三极管相连接,用于向所述第一三极管及所述第三三极管输出第一镜像电流;
所述第一电阻一端与所述第三三极管的发射极相连接;所述第二电阻一端与所述第一三极管的发射极及所述第一电阻远离所述第三三极管的一端相连接,另一端接地;
所述反馈电路与所述启动电路及所述带隙基准电压生成电路相连接,用于将所述带隙基准电压生成电路生成的带隙基准电压稳定于一特定值。
优选地,所述第一三极管模块包括n-1个所述第二三极管,各所述第二三极管的基极均与其发射极短接后连接至所述带隙基准电压输出节点,各所述第二三极管的集电极均与所述第一三极管的集电极相连接,且各所述第二三极管的发射结面积与所述第一三极管的发射结面积相同。
优选地,所述第二三极管模块包括一个所述第三三极管,所述第三三极管的发射结面积为所述第一三极管的发射结面积的n倍。
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