[发明专利]双极NPN型带隙基准电压电路

权利要求书

1.一种双极NPN型带隙基准电压电路，其特征在于，所述双极NPN型带隙基准电压电路至少包括：启动电路、带隙基准电压生成电路及反馈电路；其中，

所述启动电路与所述带隙基准电压生成电路相连接，用于向所述带隙基准电压生成电路提供启动所需的电压及电流；

所述带隙基准电压生成电路包括：第一电流镜、第一三极管、第一三极管模块、第二三极管模块、第一电阻及第二电阻；其中，

所述第一三极管的集电极与所述第一电流镜及所述反馈电路相连接，所述第一三极管的基极与带隙基准电压输出节点相连接；

所述第一三极管模块至少包括一个第二三极管，所述第一三极管模块的发射结面积为所述第一三极管的发射结面积的n-1倍，所述第二三极管的基极与发射极短接后连接至所述带隙基准电压输出节点，所述第二三极管的集电极与所述第一三极管的集电极相连接；

所述第二三极管模块包括至少一个第三三极管，所述第二三极管模块的发射结面积为所述第一三极管的发射结面积的n倍，所述第三三极管的集电极与所述第一电流镜相连接，所述第三三极管的基极与所述带隙基准电压输出节点相连接；其中，n为大于1的整数；

所述第一电流镜的输入端与所述启动电路相连接，所述第一电流镜的输出端与所述第一三极管及所述第三三极管相连接，用于向所述第一三极管及所述第三三极管输出第一镜像电流；

所述第一电阻一端与所述第三三极管的发射极相连接；所述第二电阻一端与所述第一三极管的发射极及所述第一电阻远离所述第三三极管的一端相连接，另一端接地；

所述反馈电路与所述启动电路及所述带隙基准电压生成电路相连接，用于将所述带隙基准电压生成电路生成的带隙基准电压稳定于一特定值。

2.根据权利要求1所述的双极NPN型带隙基准电压电路，其特征在于：所述第一三极管模块包括n-1个所述第二三极管，各所述第二三极管的基极均与其发射极短接后连接至所述带隙基准电压输出节点，各所述第二三极管的集电极均与所述第一三极管的集电极相连接，且各所述第二三极管的发射结面积与所述第一三极管的发射结面积相同。

3.根据权利要求1所述的双极NPN型带隙基准电压电路，其特征在于：所述第二三极管模块包括一个所述第三三极管，所述第三三极管的发射结面积为所述第一三极管的发射结面积的n倍。

4.根据权利要求1所述的双极NPN型带隙基准电压电路，其特征在于：所述第二三极管模块包括n个所述第三三极管，各所述第三三极管的集电极均与所述第一电流镜相连接，各所述第三三极管的基极均与所述带隙基准电压输出节点相连接，各所述第三三极管的发射极均与所述第一电阻相连接，且各所述第三三极管的发射结面积与所述第一三极管的发射结面积相同。

5.根据权利要求1所述的双极NPN型带隙基准电压电路，其特征在于：所述第一三极管、所述第二三极管及所述第三三极管均为NPN型三极管。

6.根据权利要求1所述的双极NPN型带隙基准电压电路，其特征在于：所述第一电流镜包括第一PMOS管及第二PMOS管；其中，所述第一PMOS管的源极与所述启动电路相连接，所述第一PMOS管的漏极与所述反馈电路及所述第一三极管的集电极相连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极相连接；所述第二PMOS管的源极与所述启动电路相连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第三三极管的集电极及所述第二PMOS管的栅极相连接。

7.根据权利要求6所述的双极NPN型带隙基准电压电路，其特征在于：所述第一电流镜中，所述第一PMOS管及所述第二PMOS管的数量均为m个，其中，m为大于等于1的整数。