[发明专利]在惰性气体中进行的集成电路器件测试

说明书

本发明公开了在惰性气体中进行的集成电路器件测试。一种系统包括惰性气体供应、浸泡室、测试室、转移区和加热器。该浸泡室使集成电路（IC）器件在测试之前浸泡在惰性气体中。该测试室包括接触引脚以用来通过使该测试引脚接触IC器件的引线而在惰性气体中测试IC器件。该转移区用以将IC器件从浸泡室转移至测试室。该加热器加热供应给浸泡室和测试室的惰性气体。

技术领域

本发明涉及在惰性气体中进行的集成电路器件测试。

背景技术

在集成电路（IC）器件的测试中，测试仪和IC器件之间的电气接触对于测试合格率是关键的。好的单元可能仅仅由于测试仪的测试引脚和IC器件的引线之间的高接触电阻而在测试期间不合格。当单元最初不合格时，该单元通常被重新测试以避免假故障。然而，重新测试要求更高的设备容量，增加引脚材料成本，并且增加人工成本。一次通过测试合格率方面的提高等同于生产率提高或测试成本降低。

由于这些和其他原因，存在对本发明的需要。

发明内容

一种系统的一个示例包括惰性气体供应、浸泡室、测试室、转移区和加热器。该浸泡室使集成电路（IC）器件在测试之前浸泡在惰性气体中。该测试室包括接触引脚以用来通过使该接触引脚接触IC器件的引线而在惰性气体中测试该IC器件。该转移区用来将IC器件从浸泡室转移至测试室。该加热器加热供应给浸泡室和测试室的惰性气体。

附图说明

图1图示集成电路（IC）器件测试系统的一个示例。

图2图示IC器件测试系统的另一示例。

图3是图示基于IC器件测试系统中的N₂的纯度的IC器件的引线上的SnO的原子百分率和Sn的原子百分率的一个示例的图表。

图4是图示用于测试IC器件的方法的一个示例的流程图。

具体实施方式

在下面的详细描述中，参考附图，所述附图形成本文中的一部分且在其中通过图示示出在其中可实践本公开的特定示例。应理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其他示例并且可以做出结构或逻辑改变。因此，不应以限制性意义理解下面的详细描述，并且由所附权利要求限定本公开的范围。

应理解，本文中描述的各种示例的特征可以彼此组合，除非另外特别地指出。

氧化层在集成电路（IC）器件的引线上的存在可能在测试期间导致高接触电阻。引线上的锡（Sn）镀层可能在测试之前变得被氧化而形成氧化锡（SnO）。可以在热空气体中测试IC器件，这增加氧化。因此，如本文中描述的，在测试之前和在测试期间引入处于高纯度和高温度的惰性气体以降低氧化并且防止IC器件的引线上的进一步氧化。通过减少氧化层，减小了测试期间的接触电阻，由此提高了一次通过测试合格率并且降低了测试成本。

图1图示IC器件测试系统100的一个示例。IC器件测试系统100包括浸泡室102、转移区104、测试室106、加热器112、阀114、压缩干燥空气（CDA）供应116、和惰性气体供应118。测试室106包括测试仪，所述测试仪包括具有接触引脚110的插口108。阀114将CDA或惰性气体传递至测试室106。在一个示例中，朝向测试仪的插口108引导CDA或惰性气体。如由箭头124所指示的，CDA或惰性气体然后传递通过转移区104到浸泡室102中。在一个示例中，提供处于3巴且处于环境温度（例如近似25℃）的CDA供应116。还可以提供处于3巴且处于环境温度的惰性气体供应118。CDA或惰性气体通过阀114的流速可以在175 L/min和225 L/min的范围内。可以从喷雾器、推进变压吸收器（APSA）或另一适当源来供应惰性气体供应118。