[发明专利]在惰性气体中进行的集成电路器件测试

权利要求书

1.一种用于测试集成电路（IC）器件的系统，包括：

高纯度惰性气体供应；

浸泡室，其用以使集成电路（IC）器件在测试之前浸泡在高纯度惰性气体中从而减小IC器件的引线上的氧化层；

测试室，其包括接触引脚以用来通过使该接触引脚接触IC器件的引线而在高纯度惰性气体中测试IC器件，其中该高纯度惰性气体防止引线上的进一步氧化，并且其中该浸泡室和测试室被维持在大于2巴的压强下；

转移区，其用以将IC器件从浸泡室转移至测试室；以及

加热器，其用以将高纯度惰性气体加热到至少125℃，所述高纯度惰性气体要供应到浸泡室和测试室；

其中该高纯度惰性气体包括具有至少99.9%的纯度的氮气。

2.根据权利要求1所述的系统，其中该氧化层是氧化锡（SnO）层。

3.根据权利要求1所述的系统，进一步包括：

阀，其用以控制高纯度惰性气体到浸泡室和测试室中的流动。

4.根据权利要求1所述的系统，其中该浸泡室使IC器件在测试之前浸泡在高纯度惰性气体中达至少90秒。

5.根据权利要求1所述的系统，进一步包括：

气体出口闸门，其用以控制高纯度惰性气体从浸泡室和测试室中的流出。

6.一种用于测试集成电路（IC）器件的系统，其包括：

第一气体供应阀，其用以控制到浸泡室中的高纯度氮气流动，该浸泡室用以使集成电路（IC）器件在测试之前浸泡在高纯度氮气中从而减小IC器件的引线上的氧化层；

第二气体供应阀，其用以控制到测试室中的高纯度氮气流动，该测试室包括接触引脚以用来通过使该接触引脚接触IC器件的引线而在高纯度氮气中测试IC器件，其中该高纯度氮气防止引线上的进一步氧化；

转移区，其用以将IC器件从浸泡室转移至测试室，其中该第一气体供应阀和第二气体供应阀被控制以将浸泡室、测试室和转移区内的压强维持到至少2巴；

第一加热器，其用以加热供应到浸泡室的高纯度氮气；以及

第二加热器，其用以加热供应到测试室的高纯度氮气；

其中所述高纯度氮气具有至少99.9%的纯度，

其中所述第一加热器将供应到浸泡室的高纯度氮气加热到至少125℃，以及

其中所述第二加热器将供应到测试室的高纯度氮气加热到至少125℃。

7.根据权利要求6所述的系统，进一步包括：

第一气体出口闸门，其用以控制从浸泡室中的高纯度氮气流出；以及

第二气体出口闸门，其用以控制从测试室中的高纯度氮气流出。

8.根据权利要求6所述的系统，其中该氧化层是氧化锡（SnO）层。

9.一种用于测试集成电路（IC）器件的方法，该方法包括：

将高纯度氮气供应到浸泡室和测试室，其中该浸泡室和测试室被维持在大于2巴的压强下；

加热供应到浸泡室和测试室的高纯度氮气；

将IC器件传递至浸泡室中；

将IC器件浸泡在浸泡室内的高纯度氮气中达预定义时段从而减小IC器件的引线上的氧化层；

将IC器件转移至测试室；

通过将接触引脚施加于IC器件的引线来在测试室内的高纯度氮气中测试IC器件，其中该高纯度氮气防止引线上的进一步氧化；以及

将IC器件从测试室中传递出来；

其中供应高纯度氮气包括供应具有大于99.9%的纯度的高纯度氮气；并且

其中加热高纯度氮气包括将高纯度氮气加热到大于125℃的温度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中该氧化层是氧化锡（SnO）层。

11.根据权利要求9所述的方法，其中浸泡IC器件包括将IC器件浸泡在高纯度氮气中达大于90秒。