[发明专利]阵列基板及其上电极线图案的制备方法和液晶显示面板

说明书

本发明提供了一种阵列基板上电极线图案的制备方法，包括：在衬底上沉积形成缓冲膜；在形成有缓冲膜的衬底上形成光阻图形；干法刻蚀所述缓冲膜未被所述光阻图形覆盖的部分，形成第一缓冲层；依次沉积第二导电缓冲层和第一铜膜；采用电镀工艺在未被光阻图形覆盖的衬底上的第一铜膜上形成电极线图案；剥离光阻图形及其上的涂层，得到电极线图案。该电极线图案的制备方法，避免了金属铜膜较难刻蚀且易氧化的问题。本发明还提供了制得的阵列基板和液晶显示面板。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其上电极线图案的制备方法和液晶显示面板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-LCD由阵列基板和彩膜基板对盒形成，其中，阵列基板包括衬底基板和形成在该衬底基板上的导电图案和绝缘层，导电图案包括栅极线、数据线、栅极、源漏极等，为使TFT-LCD具有较高的对比度和图像显示质量。目前通常采用低电阻的金属铜来制作栅极线、数据线等。

然而目前铜制程阵列基板中，铜栅极线和铜数据线通常直接裸露于空气之中，易发生铜氧化问题。另外，上述电极图案的形成通常采用湿刻工艺，而湿刻制程并不能很好地精确刻蚀铜膜，刻蚀后的铜膜通常形成一定的坡度角(如图1红圈所示)，其上、下表面并不齐平，出现膜宽缺失。图1中，红圈处的膜侧壁很薄，容易断裂而形成断线等缺陷，进而影响阵列基板的良品率，严重地制约了金属铜在TFT-LCD中的应用。

发明内容

鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板上电极线图案的制备方法、阵列基板和液晶显示面板，用于提高采用金属铜制作阵列基板的电极线图案时的制作效果，且尽量减少铜电极线的氧化。

本发明第一方面提供了一种阵列基板上电极线图案的制备方法，包括：

在衬底上沉积形成缓冲膜；

通过构图工艺在形成有所述缓冲膜的衬底上形成光阻图形；其中，未被所述光阻图形覆盖的衬底部分对应于待形成的电极线图案区域；

采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述缓冲膜未被所述光阻图形覆盖的部分，在所述光阻图形之下形成第一缓冲层；

在形成有所述第一缓冲层和所述光阻图形的衬底上依次沉积形成第二导电缓冲层和第一铜膜；

采用电镀工艺在未被所述光阻图形覆盖的所述衬底上的第一铜膜上形成电极线图案，其中，所述电极线图案的材质为金属铜；所述电极线图案为栅极线和/或栅极，或者为数据线和/或源漏极；

剥离所述衬底上的光阻图形及所述光阻图形上的所述第二导电缓冲层和第一铜膜，形成间隔设置在所述第一缓冲层中的所述电极线图案。

其中，所述步骤“采用电镀工艺在未被所述光阻图形覆盖的所述衬底上的第一铜膜上形成电极线图案”包括：

将未被所述光阻图形覆盖的所述衬底上的第一铜膜连接至电解池的阴极，将一铜靶连接至电解池的阳极，将所述电解池的阴极和阳极之间通过含铜离子的电解液相连，在所述电解池的阴极和阳极之间施加电流，电镀预设时长，得到所述电极线图案。

其中，所述电极线图案远离衬底的表面距所述衬底的距离等于所述第一缓冲层远离衬底的表面距所述衬底的距离。

其中，其特征在于，所述第二导电缓冲层的厚度小于所述第一缓冲层厚度的20％，所述第一铜膜的厚度小于所述第一缓冲层厚度的20％。