[发明专利]阵列基板及其上电极线图案的制备方法和液晶显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板上电极线图案的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上沉积形成缓冲膜；

通过构图工艺在形成有所述缓冲膜的衬底上形成光阻图形；其中，未被所述光阻图形覆盖的衬底部分对应于待形成的电极线图案区域；

采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述缓冲膜未被所述光阻图形覆盖的部分，在所述光阻图形之下形成第一缓冲层；

在形成有所述第一缓冲层和所述光阻图形的衬底上依次沉积形成第二导电缓冲层和第一铜膜；

采用电镀工艺在未被所述光阻图形覆盖的所述衬底上的第一铜膜上形成电极线图案，其中，所述电极线图案的材质为金属铜；所述电极线图案为栅极线和/或栅极，或者为数据线和/或源漏极；

剥离所述衬底上的光阻图形及所述光阻图形上的所述第二导电缓冲层和第一铜膜，形成间隔设置在所述第一缓冲层中的所述电极线图案。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤“采用电镀工艺在未被所述光阻图形覆盖的所述衬底上的第一铜膜上形成电极线图案”包括：

将未被所述光阻图形覆盖的所述衬底上的所述第一铜膜连接至电解池的阴极，将铜靶连接至电解池的阳极，将所述电解池的阴极和阳极之间通过含铜离子的电解液相连，在所述电解池的阴极和阳极之间施加电流，电镀预设时长，得到所述电极线图案。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电极线图案远离衬底的表面距所述衬底的距离等于所述第一缓冲层远离衬底的表面距所述衬底的距离。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二导电缓冲层的厚度小于所述第一缓冲层厚度的20％，所述第一铜膜的厚度小于所述第一缓冲层厚度的20％。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二导电缓冲层的材料包括钼、钛、钽、钼钛合金、钼铌合金、钼钽合金、氮化钛和氧化铟锡中的至少一种；所述第二导电缓冲层的厚度为10-60nm；所述第一铜膜的厚度为10-100nm。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一缓冲层的厚度为50-1000nm；所述第一缓冲层的材料包括氮化硅、氧化硅和氧化铝中的至少一种。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光阻图形的厚度为1.5-5微米。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述电极线图案之上还形成有保护层，所述保护层远离衬底的表面距所述衬底的距离等于所述第一缓冲层远离衬底的表面距所述衬底的距离。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底，以及设置在所述衬底上的第一缓冲层、第二导电缓冲层、第一铜膜和电极线图案；其中，所述第二导电缓冲层、第一铜膜与所述电极线图案依次层叠设置在所述衬底上未被所述第一缓冲层覆盖的部分；所述电极线图案的材质为金属铜；所述电极线图案为栅极线和/或栅极，或者为数据线和/或源漏极。

10.一种液晶显示面板，其特征在于，包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，以及夹持在所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶层，所述阵列基板如权利要求9所述或采用如权利要求1-8任一项所述的制备方法制得。