[发明专利]一种像素界定层及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种像素界定层，其特征在于，所述像素界定层具有坝体和坝体侧面围成的界定区，所述坝体的主体材料为叠氮化环氧树脂，所述坝体侧面分为上部侧面和下部侧面，所述上部侧面接枝有疏水基团，所述下部侧面接枝有亲水基团，所述疏水基团通过所述叠氮化环氧树脂中的叠氮基接枝在所述上部侧面上，所述亲水基团通过所述叠氮化环氧树脂中的叠氮基接枝在所述下部侧面上。

2.根据权利要求1所述的像素界定层，其特征在于，所述亲水基团为含2～7个碳原子的烃基，且所述烃基上含羟基或羧基。

3.根据权利要求1所述的像素界定层，其特征在于，所述疏水基团为含8～18个碳原子的烃基。

4.一种像素界定层的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供初始像素界定层，所述初始像素界定层具有坝体和坝体侧面围成的界定区，所述坝体的主体材料为叠氮化环氧树脂，所述坝体侧面分为上部侧面和下部侧面；

将亲水性的炔类化合物加入初始像素界定层的界定区，使亲水性的炔类化合物与界定区的下部侧面发生加成反应，在下部侧面接枝亲水基团；

将疏水性的炔类化合物加入下部侧面接枝亲水基团的界定区，使疏水性的炔类化合物与界定区的上部侧面发生加成反应，在上部侧面接枝疏水基团。

5.根据权利要求4所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，所述将亲水性的炔类化合物加入初始像素界定层的界定区，使亲水性的炔类化合物与界定区的下部侧面发生加成反应，在下部侧面接枝亲水基团的方法，包括步骤：

将亲水性的炔类化合物加入初始像素界定层的界定区至高度h1，使亲水性的炔类化合物与界定区的下部侧面发生加成反应，在下部侧面接枝亲水基团；其中h1像素界定层的高度。

6.根据权利要求4所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，所述将疏水性的炔类化合物加入下部侧面接枝亲水基团的界定区，使疏水性的炔类化合物与界定区的上部侧面发生加成反应，在上部侧面接枝疏水基团的方法，包括步骤：

将疏水性的炔类化合物加入下部侧面接枝亲水基团的界定区至高度h2，使疏水性的炔类化合物与界定区的上部侧面发生加成反应，在上部侧面接枝疏水基团；其中h2≥像素界定层的高度。

7.根据权利要求5所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，h1为像素界定层高度的30％～60％。

8.根据权利要求4所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，所述亲水性的炔类化合物为炔醇或炔酸。

9.根据权利要求4所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，所述疏水性的炔类化合物为炔烃。

10.根据权利要求4所述的像素界定层的制备方法，其特征在于，所述加成反应中，以亚铜离子作为催化剂。

11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括的显示基板，所述显示基板包括权利要求1-3任一项所述的像素界定层或权利要求4-10任一项所述的制备方法制备的像素界定层。