[发明专利]一种带SONOS结构的晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种带SONOS结构的晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括选择管阱和存储管阱；

在所述选择管阱的上表面沉积氧化物层；

在所述存储管阱的上表面沉积ONO存储层；

在所述选择管阱与存储管阱邻接部分的上方沉积隔离墙；

沉积覆盖所述氧化物层、所述ONO存储层和所述隔离墙的多晶硅，蚀刻所述多晶硅，保留沉积在所述隔离墙两侧的多晶硅，以形成选择管栅极和存储管栅极，以及

去除所述选择管栅极、所述隔离墙、所述存储管栅极之外的半导体衬底表面的所述氧化物层和所述ONO层；其中

沉积所述隔离墙进一步包括：沉积覆盖所述氧化物层和所述ONO存储层的隔离介质层；

采用第一光掩膜版以及预先设定的曝光量X1蚀刻部分所述存储管阱上方的所述隔离介质层，保留所述选择管阱上方以及邻接选择管阱的部分所述存储管阱上方的所述隔离介质层；

采用第二光掩膜版以及预先设定的曝光量Y1蚀刻部分所述选择管阱上方的所述隔离介质层，保留所述选择管阱和所述存储管阱邻接部分上方的所述隔离介质层，以形成所述隔离墙，其中，

所述曝光量X1和所述曝光量Y1根据所述隔离墙的宽度调整。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成氧化物层包括：

在所述半导体衬底表面沉积氧化物层；

采用所述第一光掩膜版以及预先设定的曝光量X2蚀刻所述存储管阱区域上表面的氧化物层，以保留所述选择管阱区域上表面的氧化物层，其中，

所述曝光量X2大于所述曝光量X1以蚀刻全部所述存储管阱区域上表面的所述氧化物层。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，还进一步包括：

采用所述第一光掩膜版，对所述存储管阱进行浅沟道离子注入以形成浅沟道掺杂。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述 存储管阱的 上表面形成ONO存储层包括：

沉积覆盖所述氧化物层和所述半导体衬底存储管阱区域上表面的ONO存储层；

采用第二光掩膜版以及预先设定的曝光量Y2蚀刻所述选择管阱区域上方的ONO存储层，以保留所述存储管阱区域上表面的ONO存储层，其中，

所述曝光量Y2大于所述曝光量Y1以蚀刻全部所述选择管阱区域上方的所述ONO存储层。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述 存储管阱上的 表面形成ONO存储层包括：

沉积覆盖所述氧化物层和所述半导体衬底存储管阱区域上表面的ONO存储层；其中，

所述隔离介质层沉积在所述ONO存储层上表面；

采用第二光掩膜版以及预先设定的曝光量Y1一并蚀刻部分所述选择管阱上方的所述隔离介质层以及所述ONO存储层，以保留所述存储管阱上表面以及邻接所述存储管阱的部分选择管阱上方的所述ONO存储层。

6.如权利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，沉积覆盖所述氧化物层和所述半导体衬底存储管阱区域上表面的ONO存储层具体包括：

依次沉积第一氧化层、氮化层和第二氧化层。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过执行离子注入以形成所述选择管阱和所述存储管阱。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隔离墙为介电材质，所述隔离墙的宽度根据所述选择管和所述存储管的工作电压设定。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述介电材质为氮化硅。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底为N型掺杂，所述选择管阱和所述存储管阱为P型掺杂。

11.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底为P型掺杂，所述选择管阱和所述存储管阱为N型掺杂。