[发明专利]用于气相沉积的喷头

说明书

本公开涉及半导体工艺领域的气相沉积设备以及用于气相沉积的喷头。其中一个实施例提供了一种用于气相沉积的喷头，其中，所述喷头包括多个孔；并且位于所述喷头的边缘区域的孔向所述喷头的外部倾斜。还提供了一种气相沉积设备，其包括：用于气相沉积的喷头；加热器，所述加热器位于所述喷头的正下方；以及支撑轴，所述支撑轴支撑所述加热器。

技术领域

本公开涉及半导体工艺领域，更具体地，涉及气相沉积设备以及用于气相沉积的喷头。

背景技术

在半导体设备工艺中，布气系统是最重要的部件之一。布气系统通过控制反应气体的运输，控制反应物质到达晶圆表面的浓度分布，进而实现工艺沉积薄膜。其中，喷头是半导体设备中最典型的布气系统之一。

随着半导体晶圆向大口径化并且半导体设备向高集成化方向发展，在晶圆上取得较高的芯片生产量是集成电路领域追求的方向，因此提高晶圆边缘区域的芯片良品率非常重要。但是，在实际工艺沉积过程中，由于晶圆边缘部分结构和特性会发生变化，并且晶圆边缘部分存在一定弧度，导致晶圆边缘部分的薄膜沉积容易剥落，因此边缘区域的薄膜沉积很难跟中心部分一样均匀，从而导致晶圆边缘区域的芯片良品率较低。

因此，存在使得晶圆边缘区域和中心区域的薄膜沉积均匀的需求。

发明内容

本公开的目的是提供一种新颖的用于气相沉积的喷头以及一种包含所述喷头的气相沉积设备。

按照本公开的第一方面，提供了一种用于气相沉积的喷头，其中，所述喷头包括多个孔；并且位于所述喷头的边缘区域的孔向所述喷头的外部倾斜。

按照本公开的第一方面，向所述喷头的外部倾斜的孔位于所述喷头的边缘区域内的一圈圆周上。

按照本公开的第一方面，向所述喷头的外部倾斜的孔位于所述喷头的边缘区域内的两圈或更多圈圆周上。

按照本公开的第一方面，向所述喷头的外部倾斜的孔向所述喷头的外部倾斜的倾斜角度小于或等于45度。

按照本公开的第一方面，位于所述喷头的边缘区域内的两圈或更多圈圆周上的向所述喷头的外部倾斜的孔的倾斜角度相同或从内圈向外圈逐渐增大。

按照本公开的第一方面，所述喷头的中间区域的孔形成垂直气流，而所述喷头的边缘区域的孔形成向外的气流。

按照本公开的第一方面，当从所述喷头的顶部向底部看去时，向所述喷头的外部倾斜的孔进一步相对于喷头沿水平方向的横截面的径向偏转。

按照本公开的第一方面，向所述喷头的外部倾斜的孔沿顺时针或逆时针方向相对于所述喷头沿水平方向的横截面的径向偏转。

按照本公开的第一方面，向所述喷头的外部倾斜的孔相对于所述喷头沿水平方向的横截面的径向偏转的角度小于或等于45度。

按照本公开的第一方面，位于所述喷头的边缘区域内的两圈或更多圈圆周上的向所述喷头的外部倾斜的孔相对于所述喷头沿水平方向的横截面的径向偏转的角度相同或从内圈向外圈逐渐增大，从而形成向外的漩涡状气流。

按照本公开的第二方面，提供了一种气相沉积设备，其包括：用于气相沉积的喷头；加热器，所述加热器位于所述喷头的正下方；以及支撑轴，所述支撑轴支撑所述加热器。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得更为清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1A例示出了传统的气相沉积设备的示意图。