[发明专利]声波装置及制造声波装置的方法

权利要求书

1.一种声波装置，包括：

声波产生器，设置在基板上；

支撑构件，设置在所述基板上，并与所述声波产生器分开；

保护构件，结合到所述支撑构件并设置为与所述声波产生器分开；以及

密封部，包封所述保护构件和所述支撑构件，

其中，所述密封部包括一个或更多个第一气密层和一个或更多个第二气密层，并且

所述第一气密层和所述第二气密层交替地堆叠，

其中，所述第一气密层和所述第二气密层包括无机膜。

2.根据权利要求1所述的声波装置，其中，所述第一气密层和所述第二气密层均具有约4nm至约46nm的厚度。

3.根据权利要求1所述的声波装置，其中，所述第一气密层包括的无机膜的材料和所述第二气密层包括的无机膜的材料不同。

4.根据权利要求3所述的声波装置，其中，所述第一气密层包括Al₂O₃，并且

所述第二气密层包括ZrO₂。

5.根据权利要求1所述的声波装置，其中，所述第一气密层和所述第二气密层具有近似相同的厚度。

6.根据权利要求1所述的声波装置，其中，所述密封部具有约30nm至约50nm的厚度。

7.根据权利要求1所述的声波装置，其中，所述密封部沿着通过所述保护构件、所述支撑构件和所述基板形成的表面设置。

8.根据权利要求1所述的声波装置，所述声波装置还包括设置在所述密封部的表面上的保护层。

9.根据权利要求8所述的声波装置，其中，所述保护层包括有机膜。

10.根据权利要求1所述的声波装置，所述声波装置还包括设置在所述保护构件的下表面上的金属构件。

11.根据权利要求1所述的声波装置，其中，所述声波产生器包括压电薄膜谐振器，在所述压电薄膜谐振器中依次堆叠有下电极、压电层和上电极。

12.一种声波装置，包括：

声波产生器，设置在基板上；

支撑构件，设置在所述基板上，并与所述声波产生器分开；

保护构件，结合到所述支撑构件并设置为与所述声波产生器分开；以及

密封部，包封所述保护构件和所述支撑构件，

其中，所述密封部包括一个或更多个第一气密层和一个或更多个第二气密层，并且

所述第一气密层和所述第二气密层交替地堆叠，

其中，所述声波装置还包括设置在所述保护构件的下表面上的金属构件。

13.一种制造声波装置的方法，所述方法包括：

设置基板；

在所述基板的一个表面上形成声波产生器；

在所述基板的所述一个表面上大体沿着所述声波产生器的外周形成支撑构件；

在所述支撑构件上与所述声波产生器分开地设置保护构件；以及

形成密封部以大体包封所述保护构件和所述支撑构件，

其中，通过交替地堆叠第一气密层和第二气密层形成所述密封部，所述第一气密层为一个或更多个，所述第二气密层为一个或更多个。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，通过包括原子层沉积的方法形成所述第一气密层和所述第二气密层。

15.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括在形成所述密封部之后，在所述密封部的表面上形成有机膜。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，设置所述保护构件的步骤还包括在所述保护构件的下表面上设置金属构件。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，在形成所述密封部的步骤中，在通过所述保护构件、所述支撑构件以及所述基板的所述一个表面形成的大体整个表面上形成所述密封部。