[发明专利]导电框架及功率半导体串联结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种导电框架以及具有所述导电框架的功率半导体串联结构。

背景技术

半导体器件在电子领域有着广泛的应用，而在具体的应用过程中，需要将半导体封装起来。串联封装可以提高半导体的电器特性如反向耐压，并组成各类功率模块以配合电路设计的要求。现有半导体串联封装结构中固线区域都位于导电框架下端与延伸引脚连接处，且所占面积较大，挤压了导电框架上焊接芯片区域的面积，另外，由于固线区域与焊接芯片区域相邻，在焊接芯片时多余的焊锡很容易流入固线区域而影响固线作业，反之亦然，不能满足电力电子领域高功率密度的迫切需要。

发明内容

基于此，本发明提供一种导电框架及功率半导体串联结构。

一种导电框架，用于串联半导体芯片，所述导电框架包括第一导电框架、第二导电框架和第三导电框架，所述第一导电框架、所述第二导电框架和所述第三导电框架相互绝缘间隔排列，所述第一导电框架包括第一芯片区和由所述第一芯片区延伸出的第一引脚；所述第二导电框架包括第二芯片区、由所述第二芯片区延伸出的第二引脚以及第一固线区，所述第一固线区位于所述第二芯片区背离所述第二引脚的一侧，所述第二芯片区与所述第一固线区之间具有凹陷结构，所述凹陷结构能够容纳所述第二芯片区及/或所述第一固线区焊接作业时多余的焊料；所述第三导电框架包括第二固线区和由第二固线区延伸出的第三引脚。

在其中一个实施例中，所述凹陷结构为V形凹槽、U形凹槽、矩形凹槽中的任意一种。

在其中一个实施例中，还包括用于机械连接的通孔，所述通孔位于所述导电框架的一端。

在其中一个实施例中，所述第一导电框架和第二导电框架的端部相对的一侧分别开设半圆形的缺口，所述缺口围成所述通孔。

在其中一个实施例中，所述第二固线区的宽度大于所述第三引脚的宽度。

一种功率半导体串联结构，包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、以及如上述实施例任一所述的导电框架，所述第一半导体芯片电连接地贴附于所述第一芯片区并与所述第一固线区电连接，所述第二半导体芯片电连接地贴附于所述第二芯片区并与所述第二固线区电连接。

在其中一个实施例中，所述第一半导体芯片的第一极贴附于所述第一芯片区，第二极与所述第二导电框架上的第一固线区电连接；所述第二半导体芯片与所述第一半导体芯片的第一极极性相同的一极贴附于所述第二芯片区，另一极与所述第三导电框架上的第二固线区电连接。

在其中一个实施例中，所述半导体芯片通过焊接的方式贴附于所述导电框架。

在其中一个实施例中，所述第一半导体芯片通过金属导线与所述第一固线区电连接；及/或，所述第二半导体芯片通过金属导线与所述第二固线区电连接。

在其中一个实施例中，所述金属导线为铜线或铝线。

上述导电框架，将其中一个导电框架上的固线区域设计在该导电框架上焊接芯片区域背离延伸引脚的一端，节省空间，并且有效增加了该导电框架可焊接芯片的面积，同时，设计出位于焊接芯片区域和固线区域之间的凹陷结构，使得焊接芯片区域与固线区域能够独立作业互不影响，保证了焊接能力和固线能力的可靠性。

上述功率半导体串联结构，缩小了半导体串联封装结构的空间，且固线的走向合理整齐不冲突，满足了电力电子领域高功率密度以及高可靠性的要求。

附图说明

图1为本发明实施例提供的导电框架结构图；

图2为本发明实施例提供的功率半导体串联结构图；

图3为本发明实施例提供的二极管串联封装原理图。

具体实施方式

请参阅图1，在一个实施例中，提供了一种导电框架300，用于串联半导体芯片，所述导电框架300包括第一导电框架310、第二导电框架320和第三导电框架330，所述第一导电框架310、所述第二导电框架320和所述第三导电框架330相互绝缘间隔排列。