[发明专利]基片集成波导滤波器

权利要求书

1.一种基片集成波导滤波器，其特征在于，包括：输入节点、输出节点、串联耦合装置、附加耦合装置、至少两层金属层、设置在所述至少两层金属层之间中间介质层、金属化过孔阵列；

金属化过孔阵列连通相邻的所述至少两层金属层，所述金属化过孔阵列以及所述至少两层金属层作为腔壁，形成第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔；所述第一谐振腔与所述输入节点连接，所述第二谐振腔与所述输出节点连接；

所述第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔之间通过所述串联耦合装置串联，形成第一谐振支路；

所述第一谐振腔与所述第二谐振腔共用部分腔壁，所述附加耦合装置的两端通过共用的部分腔壁分别连接所述第一谐振腔以及所述第二谐振腔，以形成第二谐振支路；

所述第三谐振腔的数量为多个，多个所述第三谐振腔之间通过所述串联耦合装置串联；

通过改变所述串联耦合装置、所述附加耦合装置的耦合方式和/或所述第三谐振腔的数量中的至少一项，控制所述第一谐振支路和所述第二谐振支路的相位偏移量之差，以改善所述基片集成波导滤波器的矩形系数和/或群时延。

2.根据权利要求1所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述基片集成波导滤波器为单层结构基片集成波导滤波器，所述至少两层金属层包括第一金属层以及第二金属层，所述金属化过孔阵列连通所述第一金属层、所述第二金属层，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔共用的部分腔壁包括所述金属化过孔阵列。

3.根据权利要求1所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述基片集成波导滤波器为多层结构基片集成波导滤波器，所述至少两层金属层的层数大于两层，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔共用的部分腔壁包括所述金属化过孔阵列或第一谐振腔以及第二谐振腔之间的金属层。

4.根据权利要求1所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述串联耦合装置或附加耦合装置包括感性耦合窗口，所述感性耦合窗口通过所述金属化过孔阵列或所述金属层具有的空缺形成。

5.根据权利要求1所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述串联耦合装置或附加耦合装置包括槽线，所述槽线设置在所述金属层上。

6.根据权利要求5所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述槽线包括S型槽线。

7.根据权利要求1所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述第一谐振腔与所述第二谐振腔之间通过所述串联耦合装置串联有两个所述第三谐振腔。

8.根据权利要求7所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述串联耦合装置与所述附加耦合装置中的其一为感性耦合装置，另一为容性耦合装置。

9.根据权利要求7所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述串联耦合装置与所述附加耦合装置均为感性耦合装置或均为容性耦合装置。

10.根据权利要求1所述的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述输入节点包括输入馈电网络，所述输出节点包括输出馈电网络。