[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管有效
| 申请号： | 201711415532.1 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108122964B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陆江;刘海南;蔡小五;卜建辉;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：
N+发射极，
Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+发射极的下方，其中所述Pwell区域中设置有第一槽栅和第二槽栅；
N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell区域的下方；
载流子存储层，所述载流子存储层位于所述Pwell区域的下方，且，所述载流子存储层设置在所述第一槽栅和所述第二槽栅之间；
P注入层，所述P注入层位于所述第一槽栅和所述第二槽栅的下方；
无圆胞区域，所述无圆胞区域中设置有局部栅极变窄偏置结构，其中，局部栅极变窄偏置结构包括：
第一栅极，所述第一栅极在底部形成横向增宽的结构，且增宽方向朝向第二栅极；
第二栅极，所述第二栅极在底部形成横向增宽的结构，且所述增宽方向朝向所述第一栅极；
其中，所述P注入区域由所述局部栅极变窄偏置结构形成接地电势；
所述第一栅极和第二栅极在底部形成的横向增宽形成30nm以下的间距尺寸。
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：
所述N+发射极包括第一金属层和第一氧化层，其中，所述第一栅极的顶端位于所述金属层和氧化层的结合部。
3.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：
所述第二栅极的顶端位于所述第一金属层和第二氧化层的结合部，其中，所述第一氧化层和所述第二氧化层分别位于所述第一金属层的两侧。
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