[发明专利]一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法

说明书

本申请提供的一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法，涉及功率器件技术领域，包括：采用第一小检测电流测试多芯片并联电路的第一体二极管结压降，进而通入第一脉宽t_H的瞬态功率P＝V_H*I_H；采用第二小检测电流测试多芯片并联电路的第二体二极管结压降；根据所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降获得△V_F1；采用第三小检测电流测试多芯片并联电路的第三体二极管结压降，进而通入第一脉宽t_H的瞬态功率P＝V_H*I_H；采用第四小检测电流测试多芯片并联电路的第四体二极管结压降；根据所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降获得△V_F2；根据所述△V_F2和△V_F1获得△V_F，以此表征多芯片并联的瞬态电流及热分布不均匀程度。此方法解决现有技术中测试过程复杂，测试结果表征不明显，只能进行半定量的热分布不均匀度的判定，应用性差的技术问题。

技术领域

本发明涉及功率器件技术领域，特别涉及一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法。

背景技术

随着电力电子系统电压电流等级越来越高，具有高功率密度、高可靠性多芯片功率模块应运而生，其中，多芯片/多器件瞬态电流及热分布不均一直是功率芯片或器件并联应用中急需解决的问题。

现有技术中，通过采用不同的小电流对单个晶体管体二极管的结压降进行测试，依据小电流具有过趋热效应的原理即检测电流越小则越趋向于发热器件，当器件温度分布不均匀时，采用不同的小电流检测结压降并利用热温度系数获得器件大致温度，绘制曲线以观察是否呈现出温度梯度性变化，以此判定多芯片/多器件并联是否存在结温热分布不均匀程度。

但本申请在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：

现有技术中的测试方法测试过程复杂，测试结果对瞬态电流及热分布的不均匀度的表征不明显，且此办法只能进行半定量的热不均匀度的判定，应用性差，并未应用到功率器件实际测试中。

发明内容

本申请实施例通过提供一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法，解决了现有技术中的测试方法测试过程复杂，测试结果的表征不明显，以及现有技术只能进行半定量的热不均匀度的判定，应用性差的技术问题，达到了适用于不同类功率器件的多芯片或多器件并联不均匀度的判定，应用性强，且此测试方法简单易行，可以大大的减少测试成本的技术效果。