[发明专利]一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法有效
| 申请号： | 201711409290.5 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108279369B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 苏洪源;赵发展;李晶;罗家俊;瞿磊;席茜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 并联 电路 瞬态 电流 分布 不均匀 测试 方法 | ||
1.一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法，其特征在于，所述方法包括：
通过瞬态功率测试装置将所述电路并联的多芯片之间产生一定的温度梯度；
采用第一小检测电流测试多芯片并联电路的第一体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率P=VH*IH；
采用第二小检测电流测试多芯片并联电路的第二体二极管结压降，其中第二体二极管结压降小于第一体二极管结压降；
根据所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降获得△VF1，其中，△VF1为所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降之差；
采用第三小检测电流测试多芯片并联电路的第三体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率P=VH*IH；
采用第四小检测电流测试多芯片并联电路的第四体二极管结压降，其中第四体二极管结压降小于第三体二极管结压降；
根据所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降获得△VF2，其中，△VF2为所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降之差；
根据所述△VF2和△VF1获得△VF，其中△VF=△VF2-△VF1，其中，所述△VF表示所述多芯片并联电路瞬态电流和热分布的均匀度；
其中，所述第一小检测电流、所述第二小检测电流、所述第三小检测电流、所述第四小检测电流相等。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述采用第三小检测电流测试多芯片并联电路的第三体二极管结压降之前，所述方法还包括：
间隔预定脉宽时间Interval-t，所述预定脉宽时间Interval-t应保持所述电路具有一定温升。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过瞬态功率测试装置将所述电路并联的多芯片间产生一定的温度梯度，还包括：
参照所述电路的额定功率设定预定的电压VH、电流IH、加电时间tH、施加功率结束后至体二极管结压降测试时间tMD、体二极管结压降检测电流及预定脉宽时间Interval-t，使所述瞬态功率测试装置施加功率时将所述电路并联的多芯片间产生一定的温度梯度。
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