[发明专利]防止Al腐的处理方法有效

申请号：	201711408137.0	申请日：	2017-12-22
公开（公告）号：	CN108400090B	公开（公告）日：	2021-03-02
发明（设计）人：	卢朋;祝汉泉;苏君海;李建华	申请（专利权）人：	信利（惠州）智能显示有限公司
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28;H01L29/786;H01L21/336
代理公司：	广州华进联合专利商标代理有限公司 44224	代理人：	叶剑
地址：	516029 广东***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	防止 al 处理方法
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【说明书】：

一种防止Al腐的处理方法，包括如下步骤：对Cl₂和BCl₃的混合气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对源漏极进行干法刻蚀操作；对碳氟气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作；将经过修复操作的源漏极进行脱模操作；将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作。上述处理方法，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作，碳氟气体中的F离子能够置换出所述源漏极的钛/铝/钛复合膜层的铝膜层中的Cl，能够起到减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。通过进行热烘操作，能够进一步减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种防止Al腐的处理方法。

背景技术

在采用低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)制作显示屏的过程中，Ti/Al/Ti(钛/铝/钛)复合膜层通常采用干法刻蚀(Dry Etching)进行刻蚀，以满足显示屏对线宽、晶圆或面板尺寸等的要求。目前的干法刻蚀也主要向着高深宽比、大面积化、难溶金属刻蚀等几个方向发展。在采用低温多晶硅技术制作显示屏的过程中，Ti/Al/Ti(钛/铝/钛)复合膜层通常采用干法刻蚀(Dry Etching)进行，而采用干法刻蚀工艺对Ti/Al/Ti膜层进行刻蚀时候，通常采用的刻蚀气体为氯气(Cl₂)和三氯化硼(BCl₃)，而Cl₂很容易对Ti/Al/Ti膜层中的铝(Al)膜层产生腐蚀，尤其是在刻蚀后极容易产生侧壁Al腐蚀的现象，一旦Al膜层发生腐蚀，将会对TFT特性和导通电阻、接触电阻将会产生很大影响，因此，如何有效避免Al膜层腐蚀，成为业界内重点关注的问题。

而目前，在业界内，防止铝(Al)膜层腐蚀的方法主要有以下两种：

1、O₂+H₂O：O₂、H₂O在工艺腔室中被电离成Plasma(等离子体)，Plasma中的H结合残留的Cl，以除去Cl。

2、水洗：使Cl溶解在水中，生成HCL，以除去Cl。

然而，第一种和第二种方法都需要增加额外的操作腔室和水洗装置，这样，都会增加操作难度，使得工艺操作步骤较为繁琐，此外也会增加处理成本和设备购买成本。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够减轻钛/铝/钛复合膜层中的铝膜层腐蚀问题以及操作工艺较为简单的防止Al腐的处理方法。

一种防止Al腐的处理方法，包括如下步骤：

在真空腔室内，对Cl₂和BCl₃的混合气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对源漏极进行干法刻蚀操作；

在真空腔室内，对碳氟气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作；

将经过修复操作的源漏极进行脱模操作；

将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作。

在其中一个实施例中，所述碳氟气体为CF₄、CHF₃、C₄F₆和C₄F₈中的至少一种。