[发明专利]防止Al腐的处理方法有效
申请号: | 201711408137.0 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108400090B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 卢朋;祝汉泉;苏君海;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L29/786;H01L21/336 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 叶剑 |
地址: | 516029 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 al 处理 方法 | ||
1.一种防止Al腐的处理方法,其特征在于,包括如下步骤:
在真空腔室内,对Cl2和BCl3的混合气体进行第一次电离操作,形成第一等离子体,采用所述第一等离子体对源漏极进行干法刻蚀操作,所述源漏极包括钛/铝/钛复合膜层,其中,通过在对Cl2和BCl3的混合气体进行首次电离形成的第一等离子体来实现对源漏极的干法刻蚀操作,在所述源漏极形成沟道,在执行所述第一次电离操作中,所述真空腔室内的压力为0.5Pa~3.99Pa,Cl2的流量为400sccm~500sccm,BCl3的流量为100sccm~200sccm;
在执行所述第一次电离的真空腔室内,对碳氟气体进行第二次电离操作,形成第二等离子体,采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作,其中,在执行所述第二次电离操作中,所述真空腔室内的压力为0.5Pa~3.99Pa,碳氟气体的流量为150sccm~300sccm;
将经过修复操作的源漏极进行脱模操作;
将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作,所述源漏极中残留的C1在热烘操作中挥发,其中,所述热烘操作的温度为200摄氏度~300摄氏度;
将经过热烘操作的源漏极冷却140秒~200秒;
所述源漏极的表面坡度角在60度~75度。
2.根据权利要求1所述的防止Al腐的处理方法,其特征在于,所述碳氟气体为CF4、CHF3、C4F6和C4F8中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的防止Al腐的处理方法,其特征在于,将经过热烘操作的源漏极冷却170秒。
4.根据权利要求3所述的防止Al腐的处理方法,其特征在于,在执行所述第一次电离操作中,所述真空腔室内的压力为0.9Pa~1.88Pa。
5.根据权利要求4所述的防止Al腐的处理方法,其特征在于,在执行所述第一次电离操作中,所述真空腔室内的压力为1.33Pa。
6.根据权利要求1所述的防止Al腐的处理方法,其特征在于,所述碳氟气体为C4F8。
7.根据权利要求6所述的防止Al腐的处理方法,其特征在于,在执行所述第一次电离操作中,Cl2的流量为450sccm。
8.根据权利要求1所述的防止Al腐的处理方法,其特征在于,所述热烘操作的温度为250摄氏度。
9.根据权利要求8所述的防止Al腐的处理方法,其特征在于,在执行所述第一次电离操作中,BCl3的流量为150sccm。
10.根据权利要求1所述的防止Al腐的处理方法,其特征在于,所述热烘操作的时间为180秒。
11.根据权利要求1所述的防止Al腐的处理方法,其特征在于,所述碳氟气体为CF4,所述碳氟气体的流量为200sccm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造