[发明专利]基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法

说明书

本发明提供一种使用紫外线进行多个处理也能抑制尺寸增加的基板处理装置。基板处理装置具有紫外线照射装置(2)和基板保持装置(31、32)。紫外线照射装置2位于处理室(11、12)的边界，并且能够向处理室(11、12)照射紫外线。基板保持装置31配置于处理室(11)，将基板保持成与紫外线照射装置(2)对置。基板保持装置(32)配置于处理室(12)，将基板保持成与紫外线照射装置(2)对置。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法。

背景技术

以往，在半导体基板(以下，简称“基板”)的制造工序中，使用基板处理装置对具有氧化膜等绝缘膜的基板实施各种处理。例如，通过向在表面上有形成抗蚀图案的基板供给处理液，来对基板表面进行蚀刻等处理。另外，在结束蚀刻等之后，还进行去除基板上的抗蚀膜的处理。

基板处理装置中进行处理的基板在搬入到基板处理装置之前，进行干式蚀刻、等离子CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)等干燥工序。在这种干燥工序中，设备内产生电荷并带电，因此基板以带电的状态搬入到基板处理装置(所谓的电荷带入)。而且，在基板处理装置中，如果SPM液这样的电阻率小的处理液供给到基板上，则设备内的电荷从设备急剧地移动到处理液(即，向处理液放电)，由伴随该移动的发热而会存在对设备产生损伤的忧虑。

因此，在现有技术中，使用着用于防止基板带电的带电防止装置(例如，专利文献1)。该带电防止装置具备气体供给路径和照射部。照射部向玻璃基板照射紫外线。气体供给路径与玻璃基板和照射部之间的空间连通。包含氧气的气体经过该气体供给路径而供给到该空间。在该状态下向玻璃基板照射紫外线，由此对玻璃基板的表面进行亲水化，从而防止玻璃基板带电。另外，该空间的氧气被该紫外线变为臭氧。该臭氧促进玻璃基板的亲水性。

另外，在半导体制造中，对基板表面进行使用处理液的处理。根据该处理液的种类，有时处理液所包含的有机物会作为杂质残留在基板。

因此，在现有技术中，也使用着利用紫外线来去除基板上的有机物的装置(例如，专利文献2)。在专利文献2中使用了准分子(excimer)灯。该准分子灯能够照射例如具有172nm波长的紫外线。准分子灯向附着有有机物的基板照射该紫外线。由此，基板上的有机物被分解并被去除。

此外，作为与本发明相关的技术，列举出专利文献3-7。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-60221号公报

专利文献2：日本特开2011-204944号公报

专利文献3：日本特开平7-22530号公报

专利文献4：日本特开2011-233774号公报

专利文献5：日本特开2011-129583号公报

专利文献6：日本特开2010-251596号公报

专利文献7：日本特开2011-124410号公报

发明内容

在基板处理装置中形成有两个处理室，并且将基板保持部和紫外线光源两者设置于各个处理室的情况下，装置的整体尺寸变为大型化。

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，提供一种使用紫外线进行多个处理，还能够抑制尺寸增加的基板处理装置。

为了解决上述问题，第一实施方案的基板处理装置具备紫外线照射装置、第一基板保持装置以及第二基板保持装置。紫外线照射装置位于第一处理室和第二处理室的边界，并且能够向第一处理室和第二处理室照射紫外线。第一基板保持装置配置于第一处理室，将基板保持成与紫外线照射装置对置。第二基板保持装置配置于第二处理室，将基板保持成与紫外线照射装置对置。