[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和基板处理系统

说明书

本发明提供一种在更短时间内将基板和紫外线照射器之间的空间的环境气体变为规定的环境气体的基板处理装置。基板处理装置(10)具备基板保持台(1)、紫外线照射机构(2)、筒构件(3)和气体供给机构(41、42)。紫外线照射机构以隔着作用空间(H1)与基板(W1)相对的方式配置，并向基板照射紫外线。筒构件具有包围基板保持台的侧表面1b)的内表面(3a)，在内表面中的与侧表面相对的至少一个位置上具有至少一个开口部(31a)。气体供给机构(42)经由至少一个开口部，向基板保持台(1)的侧表面(1b)和筒构件(3)的内表面(3a)之间的空间供给气体。气体供给机构(41)向基板和紫外线照射机构(2)之间的作用空间(H1)供给气体。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、基板处理方法和基板处理系统。

背景技术

一直以来，在半导体基板(以下，简称为“基板”)的制造工序中，使用基板处理装置对具有氧化膜等绝缘膜的基板实施各种处理。例如，通过向在表面上形成有抗蚀剂的图案的基板供给处理液，对基板的表面进行蚀刻等处理。此外，在蚀刻等结束后，还进行去除基板上的抗蚀剂的处理。

对要在基板处理装置中进行处理的基板，在搬入基板处理装置之前，进行干式蚀刻、等离子CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)等干法工序(dryprocessing)。在这样的干法工序中，由于在器件内产生电荷而带电，因此基板以带电的状态搬入到基板处理装置(所谓，带入带电)。然后，在基板处理装置，当向基板上供给SPM液那样的电阻率小的处理液时，器件内的电荷急速从器件向处理液移动(即，向处理液中放电)，因伴随该移动引起的发热而存在器件损坏的担忧。

因此，以往使用了防止基板带电的带电防止装置(例如专利文献1)。该带电防止装置具备气体供给路径和照射部。照射部向玻璃基板照射紫外线。气体供给路径与玻璃基板和照射部之间的空间连通。包含氧气的气体通过该气体供给路径，向该空间供给。通过在该状态下向玻璃基板照射紫外线，使玻璃基板的表面亲水化，防止玻璃基板带电。此外，该空间的氧气通过照射该紫外线变化为臭氧。该臭氧促进玻璃基板的亲水化。

另外，作为与本发明相关的技术，披露了专利文献2～4。

专利文献1：日本特开2008-60221号公报

专利文献2：日本特开平11-221535号公报

专利文献3：日本特许第4017276号公报

专利文献4：日本特许第5752760号公报

由于如果在基板和紫外线照射器之间的空间残留有空气，则紫外线被空气中的氧气吸收而产生有害的臭氧或者紫外线强度衰减，因此需要在该空间的环境气体成为规定的环境气体后，用紫外线照射器开始照射紫外线。例如在该空间的氧气浓度处于规定的范围内时，开始照射紫外线。

此外，为了提高基板处理的处理能力，优选使该空间的环境气体在更短时间内成为规定的环境气体。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供一种在更短的时间内将基板和紫外线照射器之间的空间的环境气体变为规定的环境气体的基板处理装置。

为了解决上述问题，第一方式的基板处理装置具备基板保持台、紫外线照射机构、筒构件、第一气体供给机构和第二气体供给机构。基板保持台具有载置基板的第一上表面和侧表面。紫外线照射机构以隔着作用空间与基板相对的方式配置，并向基板照射紫外线。筒构件具有包围基板保持台的侧表面的内表面，在该内表面中的与该侧表面相对的至少一个位置上具有至少一个侧方开口部。第一气体供给机构经由至少一个侧方开口部，向基板保持台的侧表面和筒构件的内表面之间的空间供给气体。第二气体供给机构向基板和紫外线照射机构之间的作用空间供给气体。

第二方式的基板处理装置在第一方式的基板处理装置的基础上，筒构件的内表面具有第一槽，所述第一槽沿该内表面的周向延伸。至少一个侧方开口部形成于第一槽。