[发明专利]双极晶体管的制作方法

说明书

本发明涉及一种双极晶体管的制作方法。所述制作方法中，发射极多晶硅的形成包括以下步骤：在第二开口的P型接触区上形成氮化硅；去除第一氧化硅，P型接触区上的氮化硅保留；在氧化层上、有源区上及氮化硅上形成第二氧化硅；去除氧化层上、有源区上、氮化硅上的部分第二氧化硅，氮化硅侧壁的第二氧化硅被保留作为氧化硅侧墙；在氧化层上、有源区上及氮化硅上形成至少一附加氧化硅；去除氧化层上、有源区上、氮化硅上的部分附加氧化硅，氮化硅侧壁的附加氧化硅与第二氧化硅被保留共同作为氧化硅侧墙，氮化硅侧墙填满氧化层与氮化硅之间的间隙，氧化硅侧墙还围成对应有源区的第三开口；在第三开口处形成具有N型掺杂的多晶硅。

【技术领域】

本发明涉及半导体制造工艺技术领域，特别地，涉及一种双极晶体管的制作方法。

【背景技术】

起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管，即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。双极晶体管中，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。单双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。

当前双极晶体管的制作方法中，在形成发射极开口、发射极多晶硅及接触孔等时经常需要使用光刻制程，导致现有双极晶体管的制作方法工艺复杂、光刻成本较高。

【发明内容】

本发明的其中一个目的在于为解决上述至少一个技术问题而提供一种双极晶体管的制作方法。

一种双极晶体管的制作方法，其包括以下步骤：

提供N型衬底，在所述N型衬底上形成N型外延层，在N型外延层形成氧化层及贯穿所述氧化层且对应所述N型外延层的第一开口，利用所述第一开口进行P型注入，从而在所述N型外延层表面形成有源区；

在所述氧化层及所述有源区上形成第一氧化硅，所述第一氧化硅包括两个第二开口，利用所述两个第二开口对所述有源区进行刻蚀及注入，从而形成贯穿所述有源区并延伸至所述N型外延层中的两个P型接触区；

在所述第二开口的P型接触区上形成氮化硅；

去除所述第一氧化硅，所述P型接触区上的氮化硅保留；

在所述氧化层上、所述有源区上及所述氮化硅上形成第二氧化硅；

去除所述氧化层上、所述有源区上、所述氮化硅上的部分所述第二氧化硅，所述氮化硅侧壁的第二氧化硅被保留作为氧化硅侧墙；

在所述氧化层上、所述有源区上及所述氮化硅上形成至少一附加氧化硅；

去除所述氧化层上、所述有源区上、所述氮化硅上的部分所述附加氧化硅，所述氮化硅侧壁的附加氧化硅与第二氧化硅被保留共同作为所述氧化硅侧墙，所述氧化硅侧墙填满所述氧化层与所述氮化硅之间的间隙，所述氧化硅侧墙还围成对应所述有源区的第三开口；

在所述第三开口处形成具有N型掺杂的多晶硅；

去除所述氮化硅，对所述多晶硅进行退火，使得所述多晶硅中的N型杂质扩散至所述有源区，从而在所述有源区表面形成基极-发射极结；

在所述氧化硅侧墙及所述多晶硅上形成金属层，所述金属层包括通过所述第一开口连接所述P型接触区的第一部分及连接所述多晶硅的第二部分。

在一种实施方式中，在所述第二开口的P型接触区上形成氮化硅的步骤包括：在所述第一氧化硅及所述第二开口中形成氮化硅层，对所述氮化硅层进行回刻去除所述第一氧化硅上的氮化硅，从而形成位于所述第二开口中的氮化硅。