[发明专利]双极晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

提供N型衬底，在所述N型衬底上形成N型外延层，在N型外延层形成氧化层及贯穿所述氧化层且对应所述N型外延层的第一开口，利用所述第一开口进行P型注入，从而在所述N型外延层表面形成有源区；

在所述氧化层及所述有源区上形成第一氧化硅，所述第一氧化硅包括两个第二开口，利用所述两个第二开口对所述有源区进行刻蚀及注入，从而形成贯穿所述有源区并延伸至所述N型外延层中的两个P型接触区；

在所述第二开口的P型接触区上形成氮化硅，包括：在所述第一氧化硅及所述第二开口中形成氮化硅层，对所述氮化硅层进行回刻去除所述第一氧化硅上的氮化硅，从而形成位于所述第二开口中的氮化硅；

去除所述第一氧化硅，所述P型接触区上的氮化硅保留；

在所述氧化层上、所述有源区上及所述氮化硅上形成第二氧化硅；

去除所述氧化层上、所述有源区上、所述氮化硅上的部分所述第二氧化硅，所述氮化硅侧壁的第二氧化硅被保留作为氧化硅侧墙；

在所述氧化层上、所述有源区上及所述氮化硅上形成至少一附加氧化硅；

去除所述氧化层上、所述有源区上、所述氮化硅上的部分所述附加氧化硅，所述氮化硅侧壁的附加氧化硅与第二氧化硅被保留共同作为所述氧化硅侧墙，所述氧化硅侧墙填满所述氧化层与所述氮化硅之间的间隙，所述氧化硅侧墙还围成对应所述有源区的第三开口；

在所述第三开口处形成具有N型掺杂的多晶硅，包括：在所述氧化层上、所述氧化硅侧墙上、所述氮化硅上、所述第三开口处的有源区上形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行N型掺杂；对所述多晶硅层进行回刻去除所述氮化硅上、所述氧化硅侧墙上及所述氧化层上的部分多晶硅，而所述第三开口处的所述多晶硅被保留；

去除所述氮化硅，对所述多晶硅进行退火，使得所述多晶硅中的N型杂质扩散至所述有源区，从而在所述有源区表面形成基极-发射极结；

在所述氧化硅侧墙及所述多晶硅上形成金属层，所述金属层包括通过所述第一开口连接所述P型接触区的第一部分及连接所述多晶硅的第二部分。

2.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述N型掺杂通过注入N型杂质的方式形成。

3.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述N型掺杂采用原位掺杂的方式。

4.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：去除所述第一氧化硅的步骤包括采用湿法去除所述第一氧化硅。

5.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：去除所述氮化硅的步骤包括采用湿法去除所述氮化硅。

6.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述第一部分及所述第二部分在同一道刻蚀步骤中形成。

7.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：对所述多晶硅的退火为高温快速热退火。

8.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述多晶硅的上表面为平面且与所述氧化硅侧墙的上表面平齐。