[发明专利]NAND FLASH的CG分组方法和CG分组装置

说明书

本发明提供一种NAND FLASH的CG分组方法和CG分组装置，方法包括：确定NAND FLASH中待操作的存储块和选中字线；将选中字线和存储块中与选中字线邻近的上下第一预设数量根字线分配到第一数量个第一字线组中，每个第一字线组中字线的根数相同；配置第一数量个第一字线组中每根字线对应一CG线，以及配置存储块中除第一数量个第一字线组之外的其它字线对应同一CG线，各CG线可输出对NAND FLASH进行操作所需的所有可选高压。本发明可以极大减少控制NAND FLASH传输高压所需LV shift模块个数，从而减小芯片面积和芯片成本。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种NAND FLASH的CG分组方法和一种NAND FLASH的CG分组装置。

背景技术

在电路设计中，通常采用全局的走线将对应所有WL(Wordline，字线)的电压布局到每一个BLK(BLOCK，块)的WLDRV(字线驱动)上，通过地址选择不同的BLK，将各电压分配到相应的WL上，而用于分配这些电压的走线，命名为CG线，CG线的根数和每个BLK中WL的根数一致。

现有技术中，对NAND FLASH进行读写擦各种操作时，需要在WL上施加各种HV(HighVoltage，高电压)，且在不同的操作下选择不同的HV时，每根WL对应的电压很可能都不一样，即每根CG线需要覆盖所有可选高压。

在选择传输HV时，需要高压的电压转换电路(Level shift)控制传输管的GATE(栅极)电压。如果简单的对应一根CG线覆盖所有的可选高压，假设有x种高压，一个BLK有m根WL，那么就有m根CG走线，另外，在NAND FLASH的设计上为了译码方便，在BLK地址的译码上采取奇偶对应设计，即奇数的BLK对应一套CG的走线，偶数的BLK对应一套走线，所以总共需要m*x*2个高压的电压转换电路。例如，如果一个BLK共有64根WL，有五种高压需要加到WL上，那么现有技术共需要64*5*2＝640个电压转换电路。在电路版图中，由于电压转换电路由高压管组成，大量的电压转换电路会占用很大面积，导致现有技术整体芯片面积很大，成本也很高。

发明内容

鉴于上述问题，本发明实施例的目的在于提供一种NAND FLASH的CG分组方法和一种NAND FLASH的CG分组装置，以解决现有技术中每根CG线需要覆盖所有可选高压，导致整体芯片面积大和成本高的问题。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种NAND FLASH的CG分组方法，包括以下步骤：

确定所述NAND FLASH中待操作的存储块和选中字线；

将所述选中字线和所述存储块中与所述选中字线邻近的上下第一预设数量根字线分配到第一数量个第一字线组中，每个所述第一字线组中字线的根数相同；

配置所述第一数量个第一字线组中每根字线对应一CG线，以及配置所述存储块中除所述第一数量个第一字线组之外的其它字线对应同一CG线，各所述CG线可输出对所述NAND FLASH进行操作所需的所有可选高压。

可选地，所述第一数量和所述第一字线组中字线的根数根据以下公式确定：

(n-1)*m＝2*r

其中，n为所述第一数量，m为所述第一字线组中字线的根数，r为所述第一预设数量。

可选地，NAND FLASH的CG分组方法还包括：

调整所述第一数量和所述第一字线组中字线的根数，以使所述存储块所需的电压转换电路个数最少。

可选地，所述配置所述第一数量个第一字线组中每根字线对应一CG线，以及配置所述存储块中除所述第一数量个第一字线组之外的其它字线对应同一CG线，各所述CG线可输出对所述NAND FLASH进行操作所需的所有可选高压，包括以下步骤：