[发明专利]NAND FLASH的CG分组方法和CG分组装置有效
| 申请号： | 201711397343.6 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108053857B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;刘会娟;胡旭;程莹;李建新 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nand flash cg 分组 方法 装置 | ||
1.一种NAND FLASH的CG分组方法，其特征在于，包括以下步骤：
确定所述NAND FLASH中待操作的存储块和选中字线；
将所述选中字线和所述存储块中与所述选中字线邻近的上下各第一预设数量根字线分配到第一数量个第一字线组中，每个所述第一字线组中字线的根数相同；
配置所述第一数量个第一字线组中每根字线对应一CG线，以及配置所述存储块中除所述第一数量个第一字线组之外的其它字线对应同一CG线，各所述CG线可输出对所述NANDFLASH进行操作所需的所有可选高压。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一数量和所述第一字线组中字线的根数根据以下公式确定：
(n-1)*m=2*r
其中，n为所述第一数量，m为所述第一字线组中字线的根数，r为所述第一预设数量。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，还包括：
调整所述第一数量和所述第一字线组中字线的根数，以使所述存储块所需的电压转换电路个数最少。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述配置所述第一数量个第一字线组中每根字线对应一CG线，以及配置所述存储块中除所述第一数量个第一字线组之外的其它字线对应同一CG线，各所述CG线可输出对所述NAND FLASH进行操作所需的所有可选高压，包括以下步骤：
将各所述CG线可输出对所述NAND FLASH进行操作所需的所有可选高压，一一配置至各所述CG线。
5.一种NAND FLASH的CG分组装置，其特征在于，包括：
确定模块，用于确定所述NAND FLASH中待操作的存储块和选中字线；
分配模块，用于将所述选中字线和所述存储块中与所述选中字线邻近的上下各第一预设数量根字线分配到第一数量个第一字线组中，每个所述第一字线组中字线的根数相同；
配置模块，用于配置所述第一数量个第一字线组中每根字线对应一CG线，以及配置所述存储块中除所述第一数量个第一字线组之外的其它字线对应同一CG线，各所述CG线可输出对所述NAND FLASH进行操作所需的所有可选高压。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一数量和所述第一字线组中字线的根数根据以下公式确定：
(n-1)*m=2*r
其中，n为所述第一数量，m为所述第一字线组中字线的根数，r为所述第一预设数量。
7.根据权利要求5或6所述的装置，其特征在于，还包括：
调整模块，用于调整所述第一数量和所述第一字线组中字线的根数，以使所述存储块所需的电压转换电路个数最少。
8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述配置模块包括：
高压配置单元，用于将各所述CG线可输出对所述NAND FLASH进行操作所需的所有可选高压，一一配置至各所述CG线。
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