[发明专利]微发光元件

说明书

微发光元件，包括转移材料层、微发光二极管，转移材料层至少覆盖微发光二极管的顶面或侧面，转移材料层至少分为转移状态和稳定状态；在转移状态下，转移材料层为柔性材料；在稳定状态下，微发光二极管设置在转移材料层的凹槽中，凹槽的深度为0.1~5μm，转移材料层向微发光二极管提供夹持力，解决微发光二极管转移过程中容易松动或脱落的问题，提高微发光二极管转移的良率，特别是大量转移的良率。

技术领域

本发明涉及微发光装置领域，具体涉及微发光元件。

背景技术

在RGB LED Display阵列MLED（微发光二极管）结构中，一方面，利用转移材料固化或者半固化状态下的粘性（例如范德瓦力、磁性力）进行转移，容易因为转移力不足，而MLED的转移良率低。

另一方面，由于MLED间距比较接近，每颗MLED由于发散角度的关系，彼此间会发光区有重迭部分，会产生CROSS TALK光干涉现象，即不同色之MLED会互相干扰，因而造成颜色误差与颜色不均的现象，而例如：CN1378291A传统的常规尺寸LED侧壁遮挡方法不易在MLED工艺中应用，不利于大规模量产。

发明内容

为解决背景技术中的问题，本发明公开了一种微发光元件，包括转移材料层、微发光二极管，转移材料层至少覆盖微发光二极管的顶面或侧面，转移材料层至少分为转移状态和稳定状态；

在转移状态下，转移材料层为柔性材料；

在稳定状态下，微发光二极管设置在转移材料层的凹槽中，凹槽的深度为0.1~5μm。

根据本发明，优选的，转移材料层材料包括BCB胶、硅胶或者环氧树脂。

根据本发明，优选的，凹槽具有柔性转移材料层受挤压产生的圆滑的内陷开口。

根据本发明，优选的，凹槽的深度为0.5~1.5μm。

在一些实施例中，微发光元件还包括位于转移材料层远离微发光二极管一侧的牺牲层。

根据一些实施例，优选的，牺牲层在远离转移材料层的一侧包括透光或者不透光的支架。

根据一些实施例，优选的，牺牲层材料包括GaN、AlGaN、 InGaN、GaSiN、GaMgN中一种或任意种组合，这些牺牲层材料容易通过激光去除。

在另一些实施例中，转移材料层采用不透光材料，不透光材料至少包括反射材料或者吸光材料，通过不透光材料的形状或者构造设定出光角度。

根据另一些实施例，优选的，微发光二极管顶面对应位置的转移材料层具有出光孔洞，实创造顶面出光或者顶面电连接的条件。

根据本发明，优选的，微发光二极管可以依据微发光元件构造和出光需求选择为正装微发光二极管、倒装微发光二极管或者垂直微发光二极管。

为满足一些光应用需求，本发明还提供了一种微发光元件阵列，微发光元件阵列包括转移材料层和若干个微发光二极管，转移材料层至少覆盖微发光二极管的顶面或侧面，转移材料层至少具有转移状态和稳定状态；

在转移状态下，转移材料层为柔性材料；

在稳定状态下，微发光二极管设置在转移材料层的凹槽中，凹槽的深度为0.1~5μm。

根据本发明，优选的，转移材料层材料包括BCB胶、硅胶或者环氧树脂。

根据本发明，优选的，凹槽具有柔性转移材料层受挤压产生的圆滑的内陷开口。

根据本发明，优选的，凹槽的深度为0.5~1.5μm。

在一些实施例中，微发光元件阵列还包括位于转移材料层远离微发光二极管一侧的牺牲层。