[发明专利]微发光元件

权利要求书

1.微发光元件阵列，微发光元件阵列包括转移材料层和若干个微发光二极管，其特征在于：转移材料层至少覆盖微发光二极管的侧面，转移材料层至少具有转移状态和稳定状态，微发光二极管顶面对应位置的转移材料层具有出光孔洞；

在转移状态下，转移材料层为柔性材料，并在所述转移状态下形成凹槽；

在稳定状态下，微发光二极管夹持在转移材料层的凹槽中，凹槽的深度为0.1~5μm；

转移材料层采用不透光材料，不透光材料至少包括反射材料或者吸光材料。

2.根据权利要求1所述的微发光元件阵列，其特征在于：转移材料层的材料包括BCB胶、硅胶或者环氧树脂。

3.根据权利要求1所述的微发光元件阵列，其特征在于：凹槽具有圆滑的内陷开口。

4.根据权利要求1所述的微发光元件阵列，其特征在于：凹槽的深度为0.5~1.5μm。

5.根据权利要求1所述的微发光元件阵列，其特征在于：微发光元件阵列还包括位于转移材料层远离微发光二极管一侧的牺牲层。

6.根据权利要求5所述的微发光元件阵列，其特征在于：牺牲层为透明材料。

7.根据权利要求5所述的微发光元件阵列，其特征在于：牺牲层包括GaN、AlGaN、InGaN、GaSiN、GaMgN中一种或任意种组合。

8.根据权利要求1所述的微发光元件阵列，其特征在于：微发光二极管为正装微发光二极管、倒装微发光二极管或者垂直微发光二极管。

9.根据权利要求1所述的微发光元件阵列，其特征在于：微发光元件阵列在微发光二极管一侧具有与微发光二极管键合的键合基板。

10.根据权利要求1所述的微发光元件阵列，其特征在于：微发光二极管包括红光发光二极管、蓝光发光二极管、绿光发光二极管或其任意组合。

11.微发光元件阵列的制作方法，包括步骤：

（1）提供支架；

（2）在支架上制作牺牲层；

（3）在牺牲层表面制作转移材料层，转移材料层至少具有转移状态和稳定状态；至少在转移状态下，转移材料层为柔性材料；

（4）用转移材料层转移微发光二极管阵列，转移材料层受微发光二极管挤压凹陷形成凹槽，微发光二极管夹持在转移材料层的凹槽中，凹槽的深度为0.1~5μm，得到微发光元件阵列。

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于：凹槽的深度为0.5~1.5μm。

13.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于：制作方法包括步骤（5），步骤（5）在步骤（4）得到的微发光元件阵列键合到基板上。

14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于：在步骤（5）之后，去除牺牲层和支架。

15.根据权利要求11~14中任意一项所述的制作方法，其特征在于：在步骤（2）之后、步骤（3）之前，离散地在牺牲层远离支架的表面设置光阻挡层，光阻挡层分布在相邻微发光二极管之间的牺牲层对应位置上。

16.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于：步骤（3）的转移材料层采用不透光材料，不透光材料至少包括反射材料或者吸光材料。

17.根据权利要求16所述的制作方法，其特征在于：在步骤（4）之后，至少包括对转移材料层开孔工艺，将靠近微发光二极管区域的部分转移材料层去除，将微发光二极管的顶面部分或者全部露出。

18.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于：用转移材料层转移微发光二极管阵列的方法，转移的方式包括压印或抓取。