[发明专利]阵列基板及其制造方法、液晶显示面板及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201711391928.7 申请日: 2017-12-21
公开(公告)号: CN107942595A 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 杨春辉 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1333;H01L29/786
代理公司: 深圳精智联合知识产权代理有限公司44393 代理人: 邓铁华
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 液晶显示 面板
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和一种液晶显示面板及其制造方法。

背景技术

传统的COT(color on TFT,TFT上滤色器)型LCD器件的实际生产制程中,特别是完成所有制程的阵列基板的与完成所有制程的对向基板对组在一起并切割成小片时,极易导致对向基板上的BM(Black Matrix,黑矩阵)与数据线两者之间相对位置的移动,当这种移动超出一定范围,例如BM的移动超过了SM(shielding metal,屏蔽金属)后就容易产生SM与数据线之间的漏光,会降低产品的良率。增大对向基板上的BM宽度固然能够起到作用,但是会降低产品的穿透率。

发明内容

因此,本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法和一种液晶显示面板及其制造方法,能够有效地防止数据线侧的漏光现象的发生。

本发明提供了一种阵列基板,包括:基底;黑色遮光层,设置在所述基底上;第一金属层,对应设置在所述黑色遮光层上,从而所述黑色遮光层位于所述基底和所述第一金属层之间;有源材料层,设置在所述第一金属层上;第二金属层,设置在所述有源材料层上;保护层,设置在所述第二金属层上且其上设置有接触孔;色阻材料层,设置在所述保护层上;以及像素电极层,设置在色阻材料层上且通过所述接触孔连接所述第二金属层。

在本发明的一个实施例中,所述第一金属层包括:主动开关元件的栅极和用于与所述像素电极层形成存储电容的屏蔽金属。

在本发明的一个实施例中,所述有源材料层包括:所述主动开关元件的栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触层,所述栅极绝缘层、所述半导体层和所述欧姆接触层依序层叠设置。

在本发明的一个实施例中,所述第二金属层包括:所述主动开关元件的源极、所述主动开关元件的与所述像素电极层连接的漏极以及与所述源极连接的数据线。

在本发明的一个实施例中,所述色阻材料层包括:红色色阻块、绿色色阻块和蓝色色阻块;所述像素电极层包括:与所述红色色阻块、所述绿色色阻块和所述蓝色色阻块一一对应且由透明导电材料制成的多个像素电极。

在本发明的一个实施例中,所述屏蔽金属环绕所述像素电极并与所述像素电极平行于所述数据线的两边缘部分重叠,且所述屏蔽金属与所述数据线在垂直于所述数据线的方向上存在间隙。

在本发明的一个实施例中,所述黑色遮光层的材料为含碳黑的黑色光阻。

本发明还提供了一种液晶显示面板,包括:如前述实施例所述的阵列基板;对向基板,与所述阵列基板相对设置;液晶层,设置在所述阵列基板和所述对向基板之间;框胶,设置在所述阵列基板和所述对向基板之间并环绕所述液晶层;其中,所述对向基板包括:第二基底;黑色矩阵层,设置在所述第二基底面向所述阵列基板的一侧;以及公共电极层,设置在所述黑色矩阵层面向所述阵列基板的一侧。

在本发明的一个实施例中,所述黑色遮光层的材料和所述黑色矩阵层的材料相同。

本发明还提供了一种阵列基板的制造方法,包括步骤:在基底上形成黑色遮光层和第一金属层,从而所述黑色遮光层位于所述基底与所述第一金属层之间;在所述第一金属层上形成有源材料层;在所述有源材料层上形成第二金属层;在所述第二金属层上形成保护层并在所述保护层中形成接触孔;在所述保护层上形成色阻材料层;在所述色阻材料层上形成像素电极层、并使所述像素电极层通过所述接触孔连接所述第二金属层。

在本发明的一个实施例中,形成所述黑色遮光层和形成所述第一金属层为共用同一道光罩制程。

在本发明的一个实施例中,在基底上形成黑色遮光层和第一金属层,从而所述黑色遮光层位于所述基底与所述第一金属层之间包括:在所述基底上形成黑色遮光材料层;在所述黑色遮光材料层上形成金属材料层;在所述金属材料层上形成光阻材料层;利用光罩对所述光阻材料层进行曝光显影以得到图案化光阻材料层;以所述图案化光阻材料层为掩膜对所述金属材料层和所述黑色遮光材料层依序进行湿蚀刻和干蚀刻;以及在所述干蚀刻后去除残余的光阻材料层,以得到所述黑色遮光层和第一金属层。

在本发明的一个实施例中,在基底上形成黑色遮光层和第一金属层,从而所述黑色遮光层位于所述基底与所述第一金属层之间包括:在所述黑色遮光层上形成主动开关元件的栅极和用于与所述像素电极层形成存储电容的屏蔽金属;其中所述栅极和所述屏蔽金属为所述第一金属层的构成部分。

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