[发明专利]用于具有增强视频带宽的RF功率放大器的多基带终端组件

说明书

一种RF放大器包括晶体管、并联电路、包络频率终端电路以及外加引线。所述并联电路耦合在晶体管载流端与接地参考节点之间。所述并联电路具有串联耦合的并联电感元件和并联电容器，其中所述并联电感元件与所述并联电容器之间具有RF冷点节点。所述包络频率终端电路耦合在所述RF冷点节点与所述接地参考节点之间。所述包络频率终端电路具有串联耦合的包络电阻器、包络电感元件和包络电容器。所述外加引线电耦合到所述RF冷点节点。所述外加引线提供与由所述包络电感元件提供的包络电感并联的引线电感。另外的并联电容器可耦合在所述外加引线与接地之间。

技术领域

本文中描述的标的物的实施例大体上涉及封装半导体装置，且更确切地说，涉及包括阻抗匹配电路的封装射频(RF)半导体装置。

背景技术

大功率射频(RF)晶体管装置常用于RF通信基础设施放大器中。这些RF晶体管装置通常包括一个或多个输入引线、一个或多个输出引线、一个或多个晶体管、一个或多个偏置引线以及将引线耦合到所述一个或多个晶体管的各种接合线。在一些情况下，输入电路和输出电路也可以包含在包含装置的晶体管的相同封装内。更具体地说，封装内输入电路(例如包括输入阻抗匹配电路)可以耦合在装置的输入引线和晶体管的控制端(例如栅极)之间，且封装外输出电路(例如包括输出阻抗匹配电路)可以耦合在晶体管的导电端(例如漏极)与装置的输出引线之间。

瞬时信号带宽(ISBW)/视频带宽(VBW)越来越成为对于RF通信基础设施放大器的主要要求，并因此成为对于此类放大器中所包括的大功率RF晶体管装置的主要要求连同阻抗匹配电路一起，RF装置的输出电路还可以包括基带去耦电路，所述基带去耦电路被配置成提供向下到包络频率的AC接地。一般来说，装置的ISBW受到由在装置的偏置馈电、其它电感元件和晶体管寄生电容以及与输出阻抗匹配电路相关的任何电容之间的交互所引起的低频谐振(LFR)的限制。近年来，已经开发具有范围为约450兆赫兹(MHz)或更低的有限LFR的包括基带去耦电路的RF晶体管装置，所述有限LFR支持范围为约150MHz或更低的ISBW。虽然这些装置对于一些应用来说是足够的，但对支持较宽RF带宽放大器的需求会继续增加。

因为改进了按比例调整封装内内部基带去耦电路的设计和能力而另外增大了低频谐振(LFR)的频率，所以非所要副作用可以是具有极低频率(例如，在数百千赫兹(KHz)到几十兆赫兹(MHz)基带频率范围中)的谐振阻尼不足。这些极低频(VLF)谐振使其本身呈现为可能破坏靠近主要载波的信道中的数字预失真(DPD)校正的长期存储效应。因此，需要包括能够有更高的LFR和ISBW并能够减轻破坏性VLF谐振的输出电路的大功率RF晶体管装置。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种射频(RF)放大器，包括：

具有控制端和第一载流端及第二载流端的晶体管；

耦合在所述第一载流端与接地参考节点之间的并联电路，所述并联电路具有串联耦合的并联电感元件和并联电容器，其中所述并联电感元件与所述并联电容器之间存在RF冷点节点；

耦合在所述RF冷点节点与所述接地参考节点之间的包络频率终端电路，所述包络频率终端电路具有串联耦合的包络电阻器、包络电感元件和包络电容器；

电耦合到所述RF冷点节点的第一引线，其中所述第一引线提供与由所述包络电感元件提供的包络电感并联耦合的引线电感。

在一个或多个实施例中，所述RF放大器进一步包括如下耦合的引线电容器：

与所述引线电感串联耦合；及

与所述包络电容器并联耦合。

在一个或多个实施例中，所述RF放大器进一步包括：

耦合在所述RF冷点节点与所述第一引线之间的多个接合线，其中所述多个接合线提供与所述引线电感串联并与所述包络电感并联的另外的电感。