[发明专利]用于具有增强视频带宽的RF功率放大器的多基带终端组件

权利要求书

1.一种射频（RF）放大器装置，其特征在于，包括：

具有控制端和第一载流端及第二载流端的晶体管；

耦合在所述第一载流端与接地参考节点之间的并联电路，所述并联电路具有串联耦合的并联电感元件和并联电容器，其中所述并联电感元件与所述并联电容器之间存在RF冷点节点；

耦合在所述RF冷点节点与所述接地参考节点之间的包络频率终端电路，所述包络频率终端电路具有串联耦合的包络电阻器、包络电感元件和包络电容器；

电耦合到所述RF冷点节点的第一引线，其中所述第一引线提供与由所述包络电感元件提供的包络电感并联耦合的引线电感；

电耦合在所述RF冷点节点与所述第一引线之间的第一电感元件；以及

电绝缘的隔离结构，其中所述第一引线从所述隔离结构延伸。

2.根据权利要求1所述的RF放大器装置，其特征在于，进一步包括如下耦合的引线电容器：

与所述引线电感串联耦合；及

与所述包络电容器并联耦合。

3.根据权利要求1所述的RF放大器装置，其特征在于，所述第一电感元件包括：

耦合在所述RF冷点节点与所述第一引线之间的多个接合线，其中所述多个接合线提供与所述引线电感串联并与所述包络电感并联的另外的电感。

4.根据权利要求1所述的RF放大器装置，其特征在于，进一步包括：

输入引线；及

耦合在所述输入引线与所述晶体管的所述控制端之间的阻抗匹配电路，其中所述阻抗匹配电路是低通滤波器或带通滤波器。

5.根据权利要求4所述的RF放大器装置，其特征在于，所述阻抗匹配电路包括第一电感元件、第二电感元件以及具有第一端和第二端的电容器，其中：

所述第一电感元件耦合在所述输入引线与所述电容器的第一端之间；

所述第二电感元件耦合在所述电容器的所述第一端与所述晶体管的所述控制端之间；以及

所述电容器的所述第二端耦合到所述接地参考节点。

6.根据权利要求1所述的RF放大器装置，其特征在于，进一步包括：

输出引线；及

耦合在所述晶体管的所述第一载流端与所述输出引线之间的低通匹配电路。

7.根据权利要求1所述的RF放大器装置，其特征在于，所述并联电感元件包括耦合在所述第一载流端与所述RF冷点节点之间的多个接合线。

8.根据权利要求1所述的RF放大器装置，其特征在于，所述包络电感元件包括耦合在所述RF冷点节点与所述包络电容器的第一端之间的多个接合线或螺旋电感器。

9.一种封装射频（RF）放大器装置，其特征在于，包括：

装置基板；

耦合到所述装置基板的晶体管，其中所述晶体管包括控制端及第一载流端和第二载流端；

耦合在所述第一载流端与接地参考节点之间的并联电路，所述并联电路具有串联耦合的并联电感元件和并联电容器，其中所述并联电感元件与所述并联电容器之间存在RF冷点节点；

耦合在所述RF冷点节点与所述接地参考节点之间的包络频率终端电路，所述包络频率终端电路具有串联耦合的包络电阻器、包络电感元件和包络电容器；

第一引线；

电耦合在所述RF冷点节点与所述第一引线之间的第一电感元件，其中所述第一引线和所述第一电感元件提供与由所述包络电感元件提供的包络电感并联耦合的引线电感；

电绝缘的隔离结构，其中所述第一引线从所述隔离结构延伸；以及

对应于所述RF冷点节点的接合垫，并且

其中，所述第一电感元件包括耦合在所述接合垫与所述第一引线之间的多个接合线。

10.一种射频（RF）放大器装置，其特征在于，包括：

输入引线和输出引线；

具有控制端和第一载流端及第二载流端的晶体管；

耦合在所述输入引线与所述晶体管的所述控制端之间的阻抗匹配电路，和耦合在所述晶体管的所述第一载流端与所述输出引线之间的低通匹配电路；

耦合在所述第一载流端与接地参考节点之间的并联电路，所述并联电路具有串联耦合的并联电感元件和并联电容器，其中所述并联电感元件与所述并联电容器之间存在RF冷点节点；

耦合在所述RF冷点节点与所述接地参考节点之间的包络频率终端电路，所述包络频率终端电路具有串联耦合的包络电阻器、包络电感元件和包络电容器；

耦合在所述RF冷点节点与所述接地参考节点之间的补充引线电路，所述补充引线电路具有第一引线、串联耦合的引线电感元件和引线电容器；以及

电绝缘的隔离结构，其中所述第一引线从所述隔离结构延伸。