[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
申请号: | 201711384007.8 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN108231625B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 阿部智昭;长谷川孝祐;门部雅人 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。本发明提供不吹送冷却气体就能够缩短晶圆的冷却时间的基板处理装置和基板的冷却方法。具有:处理容器;基板保持器具,其保持多个基板,被装载于所述处理容器和从所述处理容器卸载;以及吸气管道,其具备吸气口,该吸气管道与处于从所述处理容器卸载后的卸载位置处的所述基板保持器具的周围相向地配置,其中,所述吸气管道具有构成所述吸气管道的主体的固定管道部和容纳于所述固定管道部并构成所述吸气口的可动管道部。
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
作为以往的基板处理装置,已知如下一种热处理装置(例如,参照专利文献1):在从前面朝向后面的气流形成用的排气口形成有横向气流的装载区域内,在处于热处理炉的下方侧的卸载位置处的晶圆舟与排气口之间设置有排气管道,该排气管道中形成有用于抽吸通过卸载而被加热为高温的气氛并排出的热排气用的排气口。
在该热处理装置中,以与排气管道之间夹着晶圆舟的方式设置有冷却气体喷嘴90、91,该冷却气体喷嘴90、91具有向晶圆舟24供给冷却气体的供给口90a(参照图11、图12)。
根据这样的热处理装置,由于被卸载的高温状态的晶圆舟附近的气氛从排气管道被排出,因此能够抑制向上方侧的热扩散,横向气流被供给到晶圆舟和晶圆组,从而能够使热处理后的晶圆降温。另外,所卸载的晶圆除了通过由排气管道进行的排气被冷却以外,还被从冷却气体喷嘴吹送的冷却气体冷却,因此能够缩短所卸载的晶圆的冷却时间,提高晶圆的生产性。
专利文献1:日本特开2012-169367号公报
发明内容
然而,在专利文献1所记载的基板处理装置中存在如下问题:在装载区域内浮动的微粒(有机物等灰尘、尘埃等)由于从冷却气体喷嘴向晶圆吹送的冷却气体而扬起,附在晶圆上引起异常生长,从而生产性降低。
此外,也能够不设置冷却气体喷嘴,而仅利用吸气管道进行抽吸,但是在该情况下,无法充分地进行晶圆的冷却,从而无法缩短冷却时间。另外,也能够增加吸气管道的抽吸力,但是在该情况下,在装载区域内产生紊流,与吹送冷却气体时同样地,由于异常生长所引起的生产性降低成为问题。
因此,本发明的目的在于提供一种不吹送冷却气体、能够缩短晶圆的冷却时间的基板处理装置和基板的冷却方法。
为了达到上述目的,本发明的一个方式所涉及的基板处理装置具有:处理容器;基板保持器具,其保持多个基板,被装载于所述处理容器和从所述处理容器卸载;以及至少一个吸气管道,具备吸气口,该至少一个吸气管道与从所述处理容器卸载后的卸载位置处的所述基板保持器具的周围相向地配置,其中,所述吸气管道具有:固定管道部,其构成所述吸气管道的主体;以及可动管道部,其容纳于所述固定管道部,构成所述吸气口。
根据本发明,不吹送冷却气体就能够缩短晶圆的冷却时间。
附图说明
图1是概要地表示本发明的实施方式所涉及的热处理装置的纵截面图。
图2是本发明的实施方式所涉及的热处理装置的晶圆舟的一例的放大图。
图3是表示本发明的实施方式所涉及的热处理装置的吸气管道与晶圆舟的位置关系的纵截面图。
图4是从上方观察图3的图。
图5是表示图3的状态下的吸气管道的一例的立体图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造