[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
申请号: | 201711384007.8 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN108231625B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 阿部智昭;长谷川孝祐;门部雅人 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,具有:
处理容器;
基板保持器具,其保持多个基板,被装载于所述处理容器和从所述处理容器卸载;以及
吸气管道,其具备吸气口,该吸气管道与处于从所述处理容器卸载后的卸载位置处的所述基板保持器具的周围相向地配置,
其中,所述吸气管道具有:
固定管道部,其构成所述吸气管道的主体;以及
可动管道部,其容纳于所述固定管道部,构成所述吸气口;
所述基板处理装置还具有控制部,该控制部以使所述吸气口在所述卸载位置处靠近所述基板保持器具的方式驱动所述可动管道部。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述可动管道部设置有凸缘。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述可动管道部具有至少一个分隔壁,该至少一个分隔壁用于将所述可动管道部的内部在高度方向上分隔为多个空间。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述吸气管道由配置在上端、下端以及中间的三个吸气管道构成。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述吸气管道由多个吸气管道构成,所述多个吸气管道中的至少一个吸气管道配置在与其它吸气管道不同的水平位置处。
6.一种基板处理方法,具有以下工序:
从处理容器卸载保持着多个基板的基板保持器具;
以使吸气口在卸载位置处靠近所述基板保持器具的方式驱动具备所述吸气口的至少一个吸气管道,该至少一个吸气管道与处于从所述处理容器卸载后的所述卸载位置处的所述基板保持器具的周围相向地配置;以及
使所述吸气管道工作;
其中,所述吸气管道具有:
固定管道部,其构成所述吸气管道的主体;以及
可动管道部,其容纳于所述固定管道部,构成所述吸气口,
其中,以使所述吸气口在所述卸载位置处靠近所述基板保持器具的方式驱动所述可动管道部。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法,其特征在于,
使所述可动管道部靠近所述基板保持器具的定时是所述基板保持器具到达所述卸载位置的定时。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711384007.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板处理设备
- 下一篇:气体处理装置和气体处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造