[发明专利]电光装置和电子设备

说明书

提供电光装置和电子设备。能够可靠地抑制像素的薄膜晶体管中的光漏电流的产生。电光装置具有：薄膜晶体管(30)，其按照每个像素设置；以及遮光膜，其遮挡薄膜晶体管(30)的半导体层(30a)的至少一个的端部。该遮光膜是与半导体层(30a)的第1源极/漏极区域(30s)以及第2源极/漏极区域(30d)的端部以及该端部的侧面接触的源极电极(31)和漏极电极(32)，这些电极在半导体层(30a)的下层与中间层(33)接触。

技术领域

本发明涉及电光装置以及具有电光装置的电子设备。

背景技术

作为电光装置，已知有用作作为投射型显示装置的投影仪的光调制单元的有源驱动型的液晶显示装置。有源驱动型的液晶显示装置按照每个像素具有像素电极、以及作为像素电极的开关元件的晶体管。

用作光调制单元的液晶显示装置从光源入射较强的光，因此，与直视型的液晶显示装置相比，由于入射到像素的光，晶体管中流过光漏电流，动作可能变得不稳定，因此，对晶体管应用了遮光构造。

作为这样的遮光构造，例如，在专利文献1中公开了如下电光装置：使层叠在晶体管与像素电极之间的遮光膜的平面投影的宽度在晶体管附近加宽而遮挡像素电极的角部。此外，示出了遮光膜为电容线或信号线的例子。

此外，例如，在专利文献2中公开了将在俯视观察的状态下覆盖晶体管的半导体层的至少一部分的遮光性绝缘膜与晶体管层叠的电光装置。此外，作为遮光性绝缘膜，可举出氧化铪或氧化锆等。

专利文献1：日本特开2002-90721号公报

专利文献2：日本特开2008-96970号公报

但是，在上述专利文献1中示出以在俯视时与晶体管重叠的方式配置电容线或信号线作为遮光膜的例子，未必能够充分遮挡从晶体管的半导体层中的端部入射的光。

此外，在上述专利文献2中示出了这样的例子：除了与晶体管的半导体层连接的源极电极、漏极电极的部分以外，用遮光性的绝缘膜覆盖晶体管的表面。但是，只要是遮光性的绝缘膜低于栅极绝缘膜的透射率即可。但是，作为遮光性的绝缘膜而例示出的氧化铪或氧化锆的可见光的透射率为70％～80％，无法说具有充分的遮光性。

即，在上述专利文献1或者专利文献2所示的遮光构造中，存在难以防止由于从晶体管的半导体层中的端部入射的光而产生的光漏电流的产生的课题。

发明内容

本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的，能够以下述的方式或应用例来实现。

[应用例]本应用例的电光装置具有：薄膜晶体管，其按照每个像素设置；以及遮光膜，其遮挡所述薄膜晶体管的半导体层的至少一个的端部。

根据本应用例，通过遮光膜遮挡入射到半导体层的至少一个的端部的光，因此能够提供防止由于从半导体层的至少一个的端部入射的光而引起的光漏电流的产生、按照每个像素具有实现稳定的动作的薄膜晶体管的电光装置。

在上述应用例所记载的电光装置中，优选的是，所述遮光膜是与所述半导体层的第1源极/漏极区域以及第2源极/漏极区域中的至少一个的端部以及该端部的侧面接触的电极。

根据该结构，通过使遮光膜为与半导体层的第1源极/漏极区域以及第2源极/漏极区域中的至少一个的端部以及该端部的侧面接触的电极、即源极电极或者漏极电极，，无需新设置遮光膜的工艺，能够遮挡入射到半导体层的至少一个的端部的光。

在上述应用例所记载的电光装置中，优选的是，所述半导体层设置在衬底上，在所述衬底与所述半导体层之间具有俯视时与所述半导体层的至少一个的端部重叠的中间层，在所述至少一个的端部侧，所述电极和所述中间层接触。