[发明专利]电光装置和电子设备在审
| 申请号： | 201711383790.6 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108227322A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 大堀光隆 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;李庆泽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体层 电光装置 源极/漏极区域 遮光膜 电子设备提供 侧面接触 电子设备 光漏电流 漏极电极 像素设置 源极电极 电极 中间层 下层 像素 遮挡 | ||
【权利要求书】：
1.一种电光装置，其具有：
薄膜晶体管，其按照每个像素设置；以及
遮光膜，其遮挡所述薄膜晶体管的半导体层的至少一个的端部。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其中，
所述遮光膜是与所述半导体层的第1源极/漏极区域以及第2源极/漏极区域中的至少一个的端部以及该端部的侧面接触的电极。
3.根据权利要求2所述的电光装置，其中，
所述半导体层设置在衬底上，
在所述衬底与所述半导体层之间具有俯视时与所述半导体层的至少一个的端部重叠的中间层，
在所述至少一个的端部侧，所述电极和所述中间层接触。
4.根据权利要求3所述的电光装置，其中，
所述中间层由遮光性部件构成。
5.根据权利要求3所述的电光装置，其中，
所述半导体层由高温多晶硅构成，
所述中间层从多晶硅、合金、金属硅化物中选择。
6.根据权利要求1所述的电光装置，其中，
所述遮光膜具有：与所述半导体层的第1源极/漏极区域以及第2源极/漏极区域中的至少一个的端部接触的电极、以及与所述电极接触且与所述至少一个的端部的侧面相对的部分，
所述电极和与所述至少一个的端部的侧面相对的部分由不同的材料构成。
7.一种电子设备，其具有权利要求1～6中任意一项所述的电光装置。
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