[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底，其包括单元有源区和外围有源区；

直接接触件，其排列在形成于所述衬底上的单元绝缘图案上，并且连接至所述单元有源区；

位线结构，其包括与所述直接接触件的侧表面接触的薄导电图案；以及

外围栅极结构，其位于所述外围有源区，所述外围栅极结构包括外围栅极绝缘图案和外围栅极导电图案的堆叠结构，

其中，所述薄导电图案包括第一材料，并且所述外围栅极导电图案包括所述第一材料，所述薄导电图案是经过蚀刻处理而变薄的导电图案，

所述薄导电图案的上表面的水平比所述外围栅极导电图案的上表面的水平更低，并且

所述位线结构包括所述薄导电图案上的金属导电图案和绝缘封盖层，并且所述外围栅极结构包括所述外围栅极导电图案上的金属导电图案和绝缘封盖层，所述位线结构的金属导电图案的顶表面的水平比所述外围栅极结构的金属导电图案的顶表面的水平更低。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述直接接触件包括具有第一掺杂浓度的第二半导体材料，并且所述薄导电图案包括具有第二掺杂浓度的第三半导体材料。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述直接接触件包括磷(P)和砷(As)中的至少一种掺杂剂，其掺杂浓度为1E19至1E22原子/cm³，并且

所述薄导电图案包括P、As和硼(B)中的至少一种掺杂剂，其掺杂浓度为1E14至1E17原子/cm³。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述薄导电图案包括具有至少一种第一掺杂剂的第一半导体材料，并且所述外围栅极导电图案包括具有所述至少一种第一掺杂剂的所述第一半导体材料，并且所述至少一种第一掺杂剂在所述薄导电图案中的掺杂浓度等于所述至少一种第一掺杂剂在所述外围栅极导电图案中的掺杂浓度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述单元绝缘图案的上表面的水平等于所述外围栅极绝缘图案的上表面的水平。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述直接接触件的上表面的水平等于所述薄导电图案的上表面的水平。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述直接接触件的上表面的水平比所述外围栅极导电图案的上表面的水平更低。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述位线结构的上表面的水平比所述外围栅极结构的上表面的水平更低。

9.一种半导体装置，包括：

衬底，其包括单元有源区和外围有源区；

单元绝缘图案，其位于所述单元有源区中，所述单元绝缘图案包括直接接触孔；

薄导电图案，在所述薄导电图案中，填充所述直接接触孔的第一区与均匀地覆盖所述单元绝缘图案的上表面和所述第一区的上表面的第二区连续；

位线，其包括所述第二区并且在所述单元有源区中在一个方向上延伸；以及

外围栅电极，其位于所述外围有源区中并且包括外围栅极导电图案，

其中，所述薄导电图案是经过蚀刻处理而变薄的导电图案，

所述位线的顶表面的水平比所述外围栅电极的顶表面的水平更低，并且

所述位线包括所述第二区上的金属导电图案和绝缘封盖层，并且所述外围栅电极包括所述外围栅极导电图案上的金属导电图案和绝缘封盖层，所述位线的金属导电图案的顶表面的水平比所述外围栅电极的金属导电图案的顶表面的水平更低。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

所述单元绝缘图案的上表面的水平等于所述第一区的上表面的水平。