[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，具有下述工序：

将下述衬底搬入在腔室内构成的处理空间的工序，所述衬底具有栅电极、和在所述栅电极的侧面作为侧壁的一部分而构成的绝缘膜；和

向所述处理空间供给含碳气体，在所述绝缘膜的表面上以不与所述栅电极接触的状态形成包含碳氮成分的耐蚀刻膜的工序，

所述制造方法在形成所述耐蚀刻膜的工序之后进一步具有供给含氮气体从而将所述耐蚀刻膜中所含的氧成分置换为氮成分的含氮气体供给工序。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述耐蚀刻膜的碳含有率构成为高于所述绝缘膜的碳含有率。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述耐蚀刻膜的工序中，

使所述含碳气体成为等离子体状态，向所述绝缘膜表面供给所述含碳气体的碳成分。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，当使所述含碳气体成为等离子体状态时，在所述处理空间中形成等离子体状态。

5.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成耐蚀刻膜的工序中，所述耐蚀刻膜以比所述绝缘膜薄的方式形成。

6.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成耐蚀刻膜的工序中，所述耐蚀刻膜以比所述绝缘膜薄的方式形成。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成所述耐蚀刻膜的工序中，

使所述含碳气体成为等离子体状态，向所述绝缘膜表面供给所述含碳气体的碳成分。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，当使所述含碳气体成为等离子体状态时，在所述处理空间中形成等离子体状态。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成耐蚀刻膜的工序中，所述耐蚀刻膜以比所述绝缘膜薄的方式形成。

10.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成耐蚀刻膜的工序中，所述耐蚀刻膜以比所述绝缘膜薄的方式形成。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在形成耐蚀刻膜的工序中，所述耐蚀刻膜以比所述绝缘膜薄的方式形成。

12.衬底处理装置，其具有：

载置衬底的衬底载置台，所述衬底具有栅电极、和在所述栅电极的侧面作为侧壁的一部分而构成的绝缘膜；

内置所述衬底载置台的腔室；

气体供给部，其与所述腔室连通，并且所述气体供给部具有：以在含氮硅层的表面以不与所述栅电极接触的状态形成耐蚀刻膜的方式，向在所述腔室内构成的处理空间中供给含碳气体的第一气体供给系统；和在形成所述耐蚀刻膜之后供给含氮气体从而将所述耐蚀刻膜中所含的氧成分置换为氮成分的第二气体供给系统。

13.存储介质，其存储有通过计算机而使衬底处理装置执行下述处理的程序，所述处理为：

将下述衬底搬入在腔室内构成的处理空间的处理，所述衬底具有栅电极、和在所述栅电极的侧面作为侧壁的一部分而构成的绝缘膜；

向所述处理空间供给含碳气体，在所述绝缘膜的表面上以不与所述栅电极接触的状态形成耐蚀刻膜的处理；和

在形成所述耐蚀刻膜的处理之后，供给含氮气体从而将所述耐蚀刻膜中所含的氧成分置换为氮成分的含氮气体供给处理。