[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质。本发明要解决的课题为提供能够形成耐漏电流性及耐蚀刻性高的电极侧壁的技术。为解决上述课题，提供具有下述工序的技术：将下述衬底搬入在腔室内构成的处理空间的工序，所述衬底具有栅电极、和在所述栅电极的侧面作为侧壁的一部分而构成的绝缘膜；和向所述处理空间供给含碳气体，在所述绝缘膜的表面上形成包含碳氮成分的耐蚀刻膜的工序。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序。

背景技术

近年来，半导体器件具有高度集成化的趋势，随之而来的是，电极间、布线间的微细化。因此，在这些构成间，电容已逐渐变大。

发明内容

发明要解决的课题

通常，已知的是漏电流随着电容增大而增加，但考虑到半导体器件的使用效率的问题，不期望出现漏电流的增加。因此，对于例如电极而言，构成为在其周围设置由绝缘物构成的侧壁从而提高耐泄露性(leak resistance)，抑制漏电流的发生。

然而，在形成侧壁时的蚀刻处理中，侧壁有时被过度地蚀刻。若被过度地蚀刻而侧壁变薄，则漏电流恐怕会增加。作为针对此的应对方案的一例，如专利文献1所记载的，有在侧壁中混入碳从而提高耐蚀刻性的技术。然而，碳的添加与介电常数的增加相关，因此存在增加漏电流的问题。

因此，本发明的目的在于，提供能形成耐漏电流性及耐蚀刻性高的电极侧壁的技术。

专利文献1：日本特开2011-238894

用于解决课题的手段

为解决上述课题而提供具有下述工序的技术：将下述衬底搬入在腔室内构成的处理空间的工序，所述衬底具有栅电极、和在所述栅电极的侧面作为侧壁的一部分而构成的绝缘膜；和向所述处理空间供给含碳气体，在所述绝缘膜的表面上形成包含碳氮成分的耐蚀刻膜的工序。

发明效果

通过本发明涉及的技术，可提供能够形成耐泄露性及耐蚀刻性高的电极侧壁的技术。

附图说明

图1：为说明器件构造的说明图。

图2：为说明器件构造的说明图。

图3：为说明衬底处理装置的说明图。

图4：为说明衬底处理装置的供给系统的说明图。

图5：为说明衬底处理装置的控制器的说明图。

图6：为说明衬底的处理流程的说明图。

图7：为说明衬底处理装置的供给系统的说明图。

图8：为说明衬底的处理流程的说明图。

图9：为说明衬底处理装置的说明图。

附图标记说明

100···衬底

101···栅电极

102···绝缘膜

103···耐蚀刻膜

200···衬底处理装置

201···处理空间

202···腔室

具体实施方式

(第一实施方式)

以下，对本发明的第一实施方式进行说明。