[发明专利]一种硅片清洗花篮齿杆在审
| 申请号: | 201711377339.3 | 申请日: | 2017-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN107919308A | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
| 发明(设计)人: | 吴世钦 | 申请(专利权)人: | 常州市杰洋精密机械有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 | 代理人: | 王倩 |
| 地址: | 213125 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅片 清洗 花篮 | ||
技术领域
本发明涉及硅片清洗器具技术领域,具体涉及一种硅片清洗花篮齿杆。
背景技术
半导体器件生产中硅片须经严格清洗,因为微量污染会导致器件失效,清洗的目的在于清除表面污染杂质,包括有机物和无机物。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。
在对硅片进行清洗时,使用硅片清洗花篮,不仅由于化学药剂具有腐蚀性,而且清洗花篮的插槽有利于将硅片均匀分开,不发生粘连,影响清洗的效果。
另外由于在清洗过程中,为了防止硅片上部发生形变而粘连在一起,现有硅片清洗花篮中在花篮的顶部设置有上部齿杆,现有齿杆大多为菱形,菱形的齿杆易在硅片表面形成齿痕印,造成硅片的成品率低,另外塑料制成的齿杆由于接触较多的清洗剂,极易发生溶解而污染清洗剂,影响清洗效果 。
有鉴于上述现有的硅片清洗花篮齿杆存在的缺陷,本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识,并配合学理的运用,积极加以研究创新,以期创设一种硅片清洗花篮齿杆,使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经反复试作样品及改进后,终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于,克服现有的一种硅片清洗花篮齿杆存在的缺陷,而提供一种新型一种硅片清洗花篮齿杆,替代传统的菱形齿杆,采用半椭圆形齿杆,另外选用的齿杆的材料不仅强度高,且不易与清洗剂发生反应,从而有效减少清洗剂的污染,从而更加适于实用,且具有产业上的利用价值。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。
一种硅片清洗花篮齿杆,包括齿杆主体及均匀设置在所述齿杆主体上的齿柱,其中所述齿柱垂直于所述齿杆主体长度方向的截面为椭圆形,所述齿杆主体的两端部设置有连接部,用于连接所述齿杆主体与硅片清洗花篮。
作为一种优选的技术方案,所述齿杆主体的上部均匀的设置有多个凹陷部以及设置在相邻的所述凹陷部之间的凸起平台,且所述凸起平台与所述齿杆主体外侧面齐平。
作为一种优选的技术方案,所述齿柱包括固定设置在所述凹陷部内的下部和半椭圆形上部,且沿所述齿杆主体的长度方向的截面为等腰三角形,且所述等腰三角形的底角为20-40°。
作为一种优选的技术方案,所述凹陷部的长度为所述齿杆主体外周长的1/3-1/2。
作为一种优选的技术方案,所述连接部与所述齿杆主体的两端部分别为可拆卸连接。
作为一种优选的技术方案,所述连接部与所述齿杆主体的两端部分别为螺纹连接。
作为一种优选的技术方案,所述齿柱和所述齿杆主体由以下重量份数的各组分组成:
PVDF 50-80份
碳纤维 10-30份
钛白粉 1-3份。
作为一种优选的技术方案,所述碳纤维为颗粒状或粉状碳纤维,且所述碳纤维的长度不大于40mm。
作为一种优选的技术方案,所述齿柱和所述齿杆主体为一体成型结构。
作为一种优选的技术方案,所述齿柱等分为两组,分别均匀设置在所述齿杆主体上,且两组所述齿柱之间预留有空隙,且所述空隙的长度为所述齿杆主体总长度的1/10-1/9。
采用上述技术方案,能够实现以下技术效果:
1)、替代传统的菱形齿杆,采用半椭圆形齿杆,能够有效减少齿柱在硅片上留下的印痕,另外齿柱为上宽下窄型,便于插入硅片的同时,较窄的底部能够卡住硅片;
2)、齿杆主体及齿柱采用的材料PVDF中加入增强碳纤维,碳纤维的加入不仅能够有效提高齿杆的强度,且碳纤维反应活性低、不易与清洗剂发生反应,从而有效减少清洗剂的污染,且由于PVDF中无亲水基团,表现为疏水性,因此清洗剂不易残留在清洗花篮齿杆的表面;
3)、钛白粉的加入能够有效提高PVDF制品的耐热、耐光、耐腐蚀性能,且能够有效改善PVDF制品的机械性能。
附图说明
图1为本发明硅片清洗花篮齿杆的结构示意图;
图2为图1的左视图;
图3为图2的主视图;
图4为图3中A处的放大示意图;
其中,1-齿杆主体,2-齿柱,3-连接部,4-空隙。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效, 对依据本发明提出的硅片清洗花篮齿杆其具体实施方式、特征及其功效,详细说明如后。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





