[发明专利]微粒去除方法和基板处理方法

说明书

本发明的目的在于提供一种能够减少残留在所涉及的蚀刻后的膜的表面上的微粒的微粒去除方法和基板处理方法。一种微粒去除方法，去除使用含氟气体进行蚀刻后的膜上的微粒，所述微粒去除方法包括以下工序：向所述进行蚀刻后的膜上供给在被活化后的含氧气体中添加了氢的混合气体。

技术领域

本发明涉及一种微粒去除方法和基板处理方法。

背景技术

以往以来，公知一种能够使用旋转台式的ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积法)成膜装置来进行蚀刻的基板处理装置(例如参照专利文献1)。专利文献1所记载的基板处理装置具备：旋转台，其以能够旋转的方式设置于真空容器内，且能够载置基板；第一反应气体供给部，其能够向旋转台的表面供给第一反应气体；第二反应气体供给部，其以相对于第一反应气体供给部在旋转台的周向上分离的方式设置，能够向旋转台的表面供给与第一反应气体发生反应的第二反应气体；以及活化气体供给部，其以相对于第一反应气体供给部及第二反应气体供给部在所述旋转台的周向上分离的方式设置，包括能够向旋转台的表面供给被活化后的含氟气体的喷出部。而且，活化气体供给部构成为包括配管和一个或多个含氢气体供给部，其中，该配管设置于比喷出部靠上游侧的位置且能够向喷出部供给含氟气体，该一个或多个含氢气体供给部设置于配管且能够向配管的内部供给含氢气体。

在具有上述的结构的基板处理装置中，在进行成膜时，一边从第一反应气体供给部供给含Si气体等原料气体并从第二反应气体供给部供给臭氧等反应气体，一边使旋转台旋转，由此能够进行SiO₂等的成膜。而且，在对所形成的SiO₂等的膜进行蚀刻的情况下，停止从第一反应气体供给部和第二反应气体供给部供给气体，在活化气体供给部中使含氟气体活化，在中途的配管中添加含氢气体，从喷出部添加含氢气体，供给被活化后的含氟气体，由此能够对形成于基板上的膜进行蚀刻。

专利文献1：日本特开2016-162930号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，使用以ALD成膜装置为基础的基板处理装置来在一个真空容器内进行成膜和蚀刻并不容易。特别是，还存在以下情况：由于原本是成膜装置，因此在进行了蚀刻处理时，蚀刻后的膜的质量欠佳。例如，还存在以下情况：在使用含氟气体进行了蚀刻时，在表面残留有氟，在蚀刻后的膜上产生微粒，使得蚀刻后的膜的表面变得粗糙。

因此，本发明的目的在于提供一种能够减少残留在所涉及的蚀刻后的膜的表面上的微粒的微粒去除方法和基板处理方法。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，本发明的一个方式所涉及的微粒去除方法去除使用含氟气体进行蚀刻后的膜上的微粒，所述微粒去除方法包括以下工序：向进行所述蚀刻后的膜上供给在被活化后的含氧气体中添加了氢的混合气体。

发明的效果

根据本发明，能够抑制蚀刻后的膜上的微粒。

附图说明

图1是基板处理装置的概要截面图。

图2是基板处理装置的概要俯视图。

图3是用于说明基板处理装置中的分离区域的局部截面图。

图4是表示基板处理装置的其它截面的局部截面图。

图5是用于说明基板处理装置中的第三处理区域P3的局部截面图。

图6是用于说明喷头部的底面的气体喷出孔的配置的一例的图。

图7是用于说明基板处理装置的氢气供给部的第一方式的概要立体图。