[发明专利]微粒去除方法和基板处理方法

权利要求书

1.一种微粒去除方法，去除使用含氟气体进行蚀刻后的膜上的微粒，所述微粒去除方法包括以下工序：

向所述进行蚀刻后的膜上供给在被活化后的含氧气体中添加了没有被活化的氢的混合气体。

2.根据权利要求1所述的微粒去除方法，其特征在于，

所述含氧气体还包含氩。

3.根据权利要求1或2所述的微粒去除方法，其特征在于，

所述含氟气体是还含碳的碳氟化合物系的气体。

4.根据权利要求1所述的微粒去除方法，其特征在于，

所述进行蚀刻后的膜是形成于基板上的膜，

该基板被收纳在处理室内，

在该处理室内设置能够进行气体供给的气体喷出单元，在该处理室外设置等离子体发生室，并且该气体喷出单元与该等离子体发生室通过配管连接，

当向所述气体喷出单元供给在所述等离子体发生室中被活化后的所述含氧气体时，将所述氢供给到所述配管内。

5.根据权利要求4所述的微粒去除方法，其特征在于，

所述基板在设置于所述处理室内的旋转台的表面上沿周向配置，

所述气体喷出单元设置于沿所述旋转台上的周向的规定位置，

每当使所述旋转台旋转而所述基板经过所述气体喷出单元的下方时，所述混合气体被供给到所述进行蚀刻后的膜上。

6.根据权利要求4或5所述的微粒去除方法，其特征在于，

所述气体喷出单元是喷头，所述混合气体经由设置于该喷头的底面的气体喷出孔从所述进行蚀刻后的膜的上方供给到该膜上。

7.一种基板处理方法，包括以下工序：

向形成于基板上的膜上供给含氟气体来进行蚀刻；以及

向进行所述蚀刻后的所述膜上供给在被活化后的含氧气体中添加了没有被活化的氢的混合气体来去除所述膜上的微粒。

8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，

所述基板被收纳在处理室内，

在该处理室内设置能够进行气体供给的气体喷出单元，在该处理室外设置等离子体发生室，并且该气体喷出单元与该等离子体发生室通过配管连接，

在进行所述蚀刻的工序中，所述含氟气体在所述等离子体发生室中被活化后经由所述气体喷出单元被供给到所述形成于基板上的膜上，

在去除所述膜上的微粒的工序中，当向所述气体喷出单元供给在所述等离子体发生室中被活化后的所述含氧气体时，将所述氢供给到所述配管内。

9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，

所述基板在设置于所述处理室内的旋转台的表面上沿周向配置，

所述气体喷出单元被设置于沿所述旋转台上的周向的规定位置，

每当使所述旋转台旋转而所述基板经过所述气体喷出单元的下方时，所述含氟气体或所述混合气体被供给到所述膜上。

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，

所述气体喷出单元是喷头，所述含氟气体或所述混合气体经由设置于该喷头的底面的气体喷出孔从所述膜的上方供给到该膜上。

11.根据权利要求9或10所述的基板处理方法，其特征在于，

在进行所述蚀刻的工序之前，具有在所述基板上形成所述膜的工序。

12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述基板上形成所述膜的工序中，包括以下工序：

向所述基板上供给原料气体并使该原料气体吸附于该基板；

向所述基板上供给能够与该原料气体发生反应来生成反应生成物的反应气体，来在所述基板上生成反应生成物；以及

经由所述气体喷出单元向所述基板上供给在所述等离子体发生室中被活化后的所述反应气体，来使所述反应生成物改性。

13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述处理室内的所述旋转台的上方，从所述旋转台的旋转方向的上游侧起设置原料气体供给单元、反应气体供给单元以及所述气体喷出单元，其中，所述原料气体供给单元用于向所述基板上供给所述原料气体，所述反应气体供给单元用于向所述基板上供给所述反应气体，

通过使所述旋转台沿所述旋转方向旋转而使所述基板依次经过所述原料气体供给单元、所述反应气体供给单元以及所述气体喷出单元的下方，来进行向所述基板上供给原料气体并使该原料气体吸附于该基板的工序、在所述基板上生成反应生成物的工序以及使所述反应生成物改性的工序。