[发明专利]半导体器件及制造其的方法

说明书

一种半导体器件包括鳍状物、第一栅电极至第四栅电极、第一存储器件和第二存储器件、第一搜索端子和第二搜索端子、以及第一虚设搜索端子和第二虚设搜索端子。鳍状物在第一方向上延伸。栅电极交叉鳍状物。存储器件与栅电极连接。第一搜索端子与第二栅电极连接并与鳍状物间隔开第一距离。第二搜索端子与第三栅电极连接并与鳍状物间隔开不同于第一距离的第二距离。第一虚设搜索端子与第二栅电极连接并与鳍状物间隔开第二距离。第二虚设搜索端子与第三栅电极连接并与鳍状物间隔开第一距离。

技术领域

这里描述的一个或更多个实施方式涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。

背景技术

内容可寻址存储器(CAM)或关联存储器是在快速搜索应用中使用的专门的存储器。与搜索并提供仅与特定存储地址对应的数据的随机存取存储器(RAM)不同，CAM搜索其整个存储空间并返回对应的查询所在的地址，并且在一些情况下返回与查询相关联的数据。

CAM可以被实现为包括存储单元和用于执行比较操作的端口的静态随机存取存储器(SRAM)。CAM中的每个存储单元可以是NOR型单元或NAND型单元。

具有NOR型单元的CAM可以比具有NAND型单元的CAM更快。因此，具有NOR型单元的CAM更常被使用。一种类型的NOR型CAM具有16晶体管(16T)配置并且可以被称为三元CAM(TCAM)。另一种类型的NOR型CAM具有10晶体管(10T)配置并且可以被称为二元CAM(BCAM)。

BCAM可以基于仅由1和0组成的查询操作。TCAM可以基于包括“X”(随意)以及1和0的查询操作，因而可以提供更大的搜索灵活性。例如，当TCAM用“10XX0”搜索时，执行“10000”、“10010”、“10100”和“10110”的四查询搜索。然而，实现这样的TCAM相对昂贵，例如与BCAM相比，TCAM使用额外的存储器来存储“X”状态。

发明内容

根据一个或更多个实施方式，一种半导体器件包括：在第一方向上延伸的鳍状物；交叉鳍状物的第一栅电极至第四栅电极；分别与第一栅电极和第四栅电极连接的第一存储器件和第二存储器件；第一搜索端子，其与第二栅电极连接并与鳍状物间隔开第一距离；第二搜索端子，其与第三栅电极连接并与鳍状物间隔开不同于第一距离的第二距离；第一虚设搜索端子，其与第二栅电极连接并与鳍状物间隔开第二距离；以及第二虚设搜索端子，其与第三栅电极连接并与鳍状物间隔开第一距离。

根据一个或更多个另外的实施方式，一种半导体器件包括：在第一方向上平行延伸的第一鳍状物至第六鳍状物，第一鳍状物至第三鳍状物、第五鳍状物和第六鳍状物在交叉第一方向的第二方向上顺序地间隔开，第一鳍状物、第二鳍状物和第四鳍状物至第六鳍状物在第二方向上顺序地间隔开，第三鳍状物和第四鳍状物在第一方向上间隔开；第一栅电极，其交叉第一鳍状物、第二鳍状物和第三鳍状物并在第二方向上延伸；第二栅电极，其交叉第一鳍状物、第二鳍状物和第四鳍状物并在第二方向上延伸；第三栅电极，其交叉第二鳍状物、第三鳍状物、第五鳍状物和第六鳍状物并在第二方向上延伸；第四栅电极，其交叉第二鳍状物和第四鳍状物至第六鳍状物并在第二方向上延伸；在第三栅电极与第四栅电极之间、交叉第六鳍状物、并在第二方向上延伸的第五栅电极和第六栅电极，第五栅电极和第六栅电极在第一方向上彼此间隔开；第一搜索端子，其与第五栅电极连接并与第六鳍状物间隔开第一距离；第二搜索端子，其与第六栅电极连接并与第六鳍状物间隔开不同于第一距离的第二距离；第一虚设搜索端子，其与第五栅电极连接并与第六鳍状物间隔开第二距离；以及第二虚设搜索端子，其与第六栅电极连接并与第六鳍状物间隔开第一距离。