[发明专利]半导体器件及制造其的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在第一方向上延伸的鳍状物；

交叉所述鳍状物的第一栅电极至第四栅电极；

分别与所述第一栅电极和所述第四栅电极连接的第一存储器件和第二存储器件；

第一搜索端子，其与所述第二栅电极连接并与所述鳍状物间隔开第一距离；

第二搜索端子，其与所述第三栅电极连接并与所述鳍状物间隔开不同于所述第一距离的第二距离；

第一虚设搜索端子，其与所述第二栅电极连接并与所述鳍状物间隔开所述第二距离；以及

第二虚设搜索端子，其与所述第三栅电极连接并与所述鳍状物间隔开所述第一距离，

其中所述第一搜索端子和所述第一虚设搜索端子重叠所述第二栅电极；以及

所述第二搜索端子和所述第二虚设搜索端子重叠所述第三栅电极。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一搜索端子和所述第二搜索端子接收相反的信号。

3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一配线，其在所述第一搜索端子和所述第二虚设搜索端子上，所述第一配线在所述第一方向上延伸并重叠所述第一搜索端子和所述第二虚设搜索端子；以及

第二配线，其在所述第二搜索端子和所述第一虚设搜索端子上，所述第二配线在所述第一方向上延伸并重叠所述第二搜索端子和所述第一虚设搜索端子。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中：

所述第一配线与所述第一搜索端子电连接，并与所述第二虚设搜索端子电绝缘，以及

所述第二配线与所述第二搜索端子电连接并与所述第一虚设搜索端子电绝缘。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一配线和所述第二配线平行并且在相同的层上。

6.如权利要求3所述的半导体器件，还包括：

匹配端子，其在所述第二栅电极与所述第三栅电极之间在所述鳍状物上；以及

第三配线，其形成在与所述第一配线和所述第二配线相同的层上，并与所述匹配端子电连接。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述鳍状物包括在交叉所述第一方向的第二方向上彼此间隔开的第一鳍状物和第二鳍状物。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一存储器件和所述第二存储器件的布局在所述第一方向上彼此对称。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二栅电极和所述第三栅电极的长度彼此相等。

10.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一晶体管，其包括所述第二栅电极和所述鳍状物；以及

第二晶体管，其包括所述第三栅电极和所述鳍状物，

其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的阈值电压彼此相等。

11.如权利要求10所述的半导体器件，还包括：

第一源极/漏极，其在所述第一栅电极的与所述第二栅电极的方向相反的侧面上；

第二源极/漏极，其形成在所述第四栅电极的与所述第三栅电极的方向相反的侧面上；以及

分别在所述第一源极/漏极和所述第二源极/漏极上的第一地端子和第二地端子。