[发明专利]封装结构及其制备方法在审
申请号: | 201711370308.5 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108183096A | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 詹创发;李国琪 | 申请(专利权)人: | 湖北方晶电子科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 毕翔宇 |
地址: | 443000 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装结构 导电层 导电柱 芯片 基板 电极焊盘 制备 封装 绝缘体 半导体制造技术 功率半导体 绝缘体填充 芯片级封装 尺寸控制 工艺步骤 物料用量 芯片间隔 电极 精细化 导电 量产 电子产品 垂直 铺设 封闭 转换 | ||
本发明提供了一种封装结构及其制备方法,涉及半导体制造技术领域,该封装结构包括基板、导电层、芯片、导电柱和绝缘体;导电层铺设于基板上,导电柱和芯片间隔设置于导电层上,且导电柱和芯片远离基板的一侧用于设置电极焊盘;绝缘体填充于芯片与导电柱周围将导电层封闭。该封装结构完美解决垂直导电功率半导体电极在上下两面到电极焊盘在同一侧的转换;可以将封装尺寸控制在芯片尺寸的3倍以下,实际可以达到1.5倍以下,达到芯片级封装尺寸,能够适应当前电子产品的精细化发展;同时,工艺步骤少,工艺简单,适合量产,封装物料用量少,成本低。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其是涉及一种封装结构及其制备方法。
背景技术
SMT(Surface Mount Technology)是电子业界一门新兴的工业技术,它的兴起及迅猛发展是电子组装业的一次革命,它使电子组装变得越来越快速和简单,随之而来的是各种电子产品更新换代越来越快,集成度越来越高,价格越来越便宜。随着穿戴式电子设备的兴起,对贴片封装的缩小尺寸要求越来越高,现有贴片封装结构尺寸已经不能完全适应市场的要求,需要采用芯片级尺寸封装结构。
现有的功率半导体器件主要分为VDMOS(Vertical double-diffusion metal-oxide-semiconductor)、BJT(Bipolar Junction Transistor,双极结型晶体管)、二极管,都是垂直导电的功率半导体器件,现有功率半导体贴片封装,都是在固定框架上,通过固晶、焊线、塑封、电镀、成型五步主要工序,将功率半导体芯片封装在特定的贴片封装形式中。而垂直导电的BJT、VDMOS、二极管等功率器件,由于芯片背面需要通过大电流,更是离不开这种封装结构。
但是这种封装结构外形体积大,不适于穿戴电子设备和移动电子设备等要求小空间的电器,同时采用的物料消耗大,导致成本增加,对企业造成经济负担。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的总体背景技术的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种封装结构,以解决现有技术中存在的封装结构体积大,不适应当下电子产品的小而精的发展,且物料消耗大,成本高的技术问题。
本发明的目的之二在于提供一种封装结构的制备方法,以解决现有技术中存在的封装结构体积大,不适应当下电子产品的小而精的发展,且物料消耗大,成本高的技术问题。
第一方面,本发明提供一种封装结构,包括基板、导电层、芯片、导电柱和绝缘体;所述导电层铺设于所述基板上,所述导电柱和所述芯片间隔设置于所述导电层上,且所述导电柱和所述芯片远离所述基板的一侧用于设置电极焊盘;所述绝缘体填充于所述芯片与所述导电柱周围将所述导电层封闭。
作为一种进一步的技术方案,所述绝缘体将所述导电柱和所述芯片包裹,所述电极焊盘为块体结构且突出于所述绝缘体表面。
作为一种进一步的技术方案,所述绝缘体填充于所述芯片与所述导电柱的侧面,以使所述芯片与所述导电柱突出于所述绝缘体表面,所述电极焊盘层状覆盖于所述芯片、所述导电柱远离所述基板的一侧。
作为一种进一步的技术方案,所述电极焊盘的厚度为1-500μm。
作为一种进一步的技术方案,所述电极焊盘的材质为金属或金属合金。
作为一种进一步的技术方案,所述导电层与所述导电柱、所述导电层与所述芯片之间通过连接层连接。
作为一种进一步的技术方案,所述绝缘体的材质为环氧树脂、硅胶、陶瓷、光刻胶、聚酰亚胺中的任意一种。
作为一种进一步的技术方案,所述基板的材质为金属、硅、陶瓷、蓝宝石、玻璃中的任意一种。
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