[发明专利]封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201711370308.5 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108183096A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 詹创发;李国琪 | 申请（专利权）人： | 湖北方晶电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 毕翔宇 |
| 地址： | 443000 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装结构 导电层 导电柱 芯片 基板 电极焊盘 制备 封装 绝缘体 半导体制造技术 功率半导体 绝缘体填充 芯片级封装 尺寸控制 工艺步骤 物料用量 芯片间隔 电极 精细化 导电 量产 电子产品 垂直 铺设 封闭 转换 | ||
1.一种封装结构，其特征在于，包括基板、导电层、芯片、导电柱和绝缘体；所述导电层铺设于所述基板上，所述导电柱和所述芯片间隔设置于所述导电层上，且所述导电柱和所述芯片远离所述基板的一侧用于设置电极焊盘；所述绝缘体填充于所述芯片与所述导电柱周围将所述导电层封闭。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘体将所述导电柱和所述芯片包裹，所述电极焊盘为块体结构且突出于所述绝缘体表面。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘体填充于所述芯片与所述导电柱的侧面，以使所述芯片与所述导电柱突出于所述绝缘体表面，所述电极焊盘层状覆盖于所述芯片、所述导电柱远离所述基板的一侧。
4.根据权利要求2或3所述的封装结构，其特征在于，所述电极焊盘的厚度为1－500μm。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述电极焊盘的材质为金属或金属合金。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导电层与所述导电柱、所述导电层与所述芯片之间通过连接层连接。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘体的材质为环氧树脂、硅胶、陶瓷、光刻胶、聚酰亚胺中的任意一种。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基板的材质为金属、硅、陶瓷、蓝宝石、玻璃中的任意一种。
9.一种封装结构的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1－8中任一项所述的封装结构，包括以下步骤：
准备基板；
在所述基板上覆盖形成导电层；
通过导电连接层在所述基板上设置间隔分布的导电柱和芯片；
将绝缘体布满所述导电柱和所述芯片的侧面；
在所述芯片和所述导电柱远离所述基板的一侧设置电极焊盘。
10.根据权利要求9所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述导电层通过蒸发、电镀、化学镀或热压中任一种方式形成于所述基板上。
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